【产品】采用SOT-23封装的N沟道高压MOSFET HMN3320F，漏源电压为200V
合科泰电子（HOTTECH）推出一款采用SOT-23封装的N沟道高压MOSFET HMN3320F。Ta =25℃，漏源电压为200V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为60mA。
HMN3320F的封装形式和示意图
特点：
●VDS=200V,RDS(ON)=25Ω@VGS=10V,ID=60mA
●表面贴装器件
机械数据：
●封装形式：SOT-23
●外壳材料：模压塑料。UL可燃性认证
●耐火等级：94V-0
●湿度敏感性：根据J-STD-020，为1级
●重量：0.008克（近似值）
绝对最大额定值（Ta =25℃，除非特别说明）：
电气特性(Ta=25℃，除非特别说明)：
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用户73971939 Lv7. 资深专家 2022-04-27学习 -
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titan Lv8. 研究员 2022-04-26学习 -
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Timm Lv9. 科学家 2022-04-23学习 -
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ZHANGKK Lv7. 资深专家 2022-04-07学习支持 -
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lu Lv7. 资深专家 2022-04-04了解
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