【产品】采用SOT-23封装的N沟道高压MOSFET HMN3320F，漏源电压为200V

时间： 2022-01-15 来源：合科泰电子

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合科泰电子（HOTTECH）推出一款采用SOT-23封装的N沟道高压MOSFET HMN3320F。Ta =25℃，漏源电压为200V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为60mA。

HMN3320F的封装形式和示意图

特点：

●VDS=200V,RDS(ON)=25Ω@VGS=10V,ID=60mA

●表面贴装器件

机械数据：

●封装形式：SOT-23
●外壳材料：模压塑料。UL可燃性认证

●耐火等级：94V-0

●湿度敏感性：根据J-STD-020，为1级
●重量：0.008克（近似值）

绝对最大额定值（Ta =25℃，除非特别说明）：

电气特性(Ta=25℃，除非特别说明)：

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