【产品】PIM (CIB) 拓扑结构IGBT功率模块V23990-P764-A/AY-PM，可用于电机驱动和发电

【产品】1200V/10A PIM (CIB)拓扑结构 IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T

Vincotech公司推出击穿电压1200V/额定电流10A的IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T，采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT4芯片技术，使用flow E1模块外壳，封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm，可用于工业驱动。

【产品】1500V/600A的IGBT功率模块B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T

Vincotech（威科）的B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T型IGBT功率模块，该产品击穿电压为1500V，标称芯片额定电流为600A，采用三电平ANPC拓扑结构，可应用于太阳能逆变器中。

【产品】三电平MNPC T型IGBT功率模块，广泛应用在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）

Vincotech（威科电子）公司是世界有名的功率器件设计制造公司，制造了应用在DC/AC逆变上的具有三电平的MNPC T型IGBT功率模块，该系列功率模块具有效率高，有效改善纹波和可以降低损耗等优点，同时还具有结构紧凑，体积小，较宽的工作温度范围。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【产品】1200V/100A的IGBT功率模块V23990-K420-A42-PM

Vincotech推出的IGBT功率模块V23990-K420-A42-PM，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为100A，尺寸为82 mm x 59 mm x 16 mm，拓扑为PIM（CIB），芯片技术采用IGBT4，可应用于嵌入式驱动器，工业驱动等领域。

【产品】采用IGBT4芯片技术的IGBT功率模块，非常适用于工业驱动和嵌入式发电领域

Vincotech推出的V23990-P849-A58-PM、V23990-P849-A59-PM、V23990-P849-C58-PM、V23990-P849-C59-PM、V23990-P849-A59Y-PM系列功率模块，采用IGBT4芯片技术，反向重复峰值电压最大值为1600V，直流正向电流最大值44A，适合高压环境。另外，具有超高反应速度和超低能耗，非常适用于工业驱动和嵌入式发电领域。

【产品】电压高达1600V的IGBT功率模块flow90CON 1，支持90°垂直PCB插入式安装

Vincotech推出的flow90CON 1系列IGBT模块的击穿电压高达1600V，标称芯片电流额定值包括36A、39A、43A、52A、75A，广泛的电流范围使其适用于更多的驱动器应用场景。该器件采用了flow90 1封装，尺寸为84mm x 35mm；其存储温度范围为-40℃到+125℃，工作温度范围为 -40℃到+(Tjmax-25)℃。可用于电机驱动器，伺服驱动器。

【产品】1200V/690A的IGBT功率模块A0-VS122PA690M7-L750F70

Vincotech（威科）的IGBT功率模块A0-VS122PA690M7-L750F70，A0-VP122PA690M7-L750F70T，拓扑结构为半桥，标称芯片额定电流为690 A，击穿电压为1200 V，可应用于工业传动，电源，UPS等领域。

【产品】兼容主流EASY封装的VINCOTECH flowPIM ＆ flowPACK E1/E2 IGBT功率模块

VINCOTECH最新推出兼容主流EASY封装的flowPIM和flowPACK E1/flowPACK E2 IGBT功率模块。通过预弯DCB实现的flow封装技术，可与散热器发生良好的热接触。与业内其他同类产品相比，热力性能卓越，Rth降低25%，可靠性和功率输出更高，新的IGBT M7芯片级多重采购可确保芯片的安全供应。

【产品】1200V/15A PIM (CIB) IGBT功率模块10-E112PNA015M7-L928C78Z

Vincotech公司推出10-E112PNA015M7-L928C78Z IGBT功率模块，击穿电压1200V/额定电流15A，采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT M7芯片技术，封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm，可用于工业驱动。

【产品】1200V/80A的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y

Vincotech（威科）的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y，属于flowPACK 1 SiC产品系列，拓扑结构为Sixpack，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为80A，标准包装数量为100，模块外壳为flow 1，可应用于充电站，电源等领域。

【产品】1200V/100A PIM (CIB) IGBT功率模块V23990-P760-A/AY-PM

Vincotech公司推出1200V/100A IGBT功率模块V23990-P760-A-PM、V23990-P760-AY-PM，属于flowPIM® 2产品系列，采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT4芯片技术，击穿电压1200V/额定电流100A，分别使用焊接引脚和压接引脚的电气互连方式，封装尺寸107.2 mm x 47 mm x 17 mm，可用于电机驱动和发电。

【产品】1200V/8A MiniSKiiP® PACK 1系列的IGBT功率模块V23990-K218-F40-PM

Vincotech公司是全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商。V23990-K218-F40-PM是由Vincotech推出的MiniSKiiP® PACK 1系列的IGBT功率模块。击穿电压1200V/额定电流8A，模块外壳为MiniSKiiP® 1，封装尺寸为42 mm x 40 mm，高度为16mm。可用于伺服驱动器、工业电机驱动器、UPS等应用。

【产品】1200V/80A的IGBT功率模块 10-PY12B2A080N3-LP26L26Y

Vincotech（威科）的IGBT功率模块10-PY12B2A080N3-LP26L26Y，属于flowBOOST 1 dual产品系列，采用Booster拓扑结构，该器件采用最新的IGBT和SiC技术，为低电感设计，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为80A，可应用于太阳能逆变器等领域。