【产品】PIM (CIB) 拓扑结构IGBT功率模块V23990-P764-A/AY-PM,可用于电机驱动和发电
VINCOTECH公司推出600V/75A功率模块V23990-P764-A-PM、V23990-P764-AY-PM,属于flowPIM® 2产品系列,分别使用焊接引脚和压接引脚的电气互连方式,采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT3芯片技术,封装尺寸107.2 mm x 47 mm x 17 mm,可用于电机驱动和发电。
基本模块信息
零件号:V23990-P764-A-PM,V23990-P764-AY-PM
产品系列:flowPIM® 2
产品状态:批量生产
击穿电压:600 V
标称芯片额定电流:75 A
标准包装数量:36
产品详情
拓扑结构:PIM (CIB)
·开尔文-发射极用于改善开关性能
·发射极开路配置
·温度传感器
·转换器+制动器+逆变器
芯片技术(主开关):IGBT3
·易于并联
·低关断损耗
·较低的集电极-发射极饱和电压
·正温度系数
·拖尾电流时间短
基板绝缘材料(例如陶瓷):Al2O3
电气互连:焊接引脚——V23990-P764-A-PM
压接引脚——V23990-P764-AY-PM
外壳相关细节
模块外壳:flow 2
与PCB的机械连接方式:4个板式塔器
封装尺寸:107.2 mm x 47 mm
高度:17 mm
·凸形基材,具有出色的热接触性能
·铜基板
·热机械推拉应力释放
·与PCB的冷焊连接是可靠的——V23990-P764-AY-PM
·没有PCB孔损坏,可重复使用——V23990-P764-AY-PM
目标应用
电机驱动
发电
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由Coulomb翻译自Vincotech,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】1600V/110A的IGBT功率模块,采用Rectifier (+Brake)拓扑结构
Vincotech(威科)1600V/110A的IGBT功率模块10-P0164RA110RJ-LN06J19Y,属于flowCON 0系列,击穿电压高达1600V,标称额定电流110A;存储温度宽至-40~125°C,最大结温为150°C。
【产品】1200V/10A PIM (CIB)拓扑结构 IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T
Vincotech公司推出击穿电压1200V/额定电流10A的IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T,采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT4芯片技术,使用flow E1模块外壳,封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm,可用于工业驱动。
【产品】1200V/35A的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72,可用于工业传动
Vincotech(威科)的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72,属于MiniSKiiP®PIM 2产品系列,芯片为IGBT M7,具有低VCEsat和增强EMC性能,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为35A,可应用于工业传动等领域。
VINCOTECH功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的功率模块产品选型,提供PIM模块,6管(sixpack)模块,半桥(Half-Bridge)模块,全桥(H-Bridge)模块,I型三电平(NPC)模块,T三电平(MNPC)模块,升压(Booster)模块,电力电压模块等数十种拓扑的IGBT模块选型,电压范围600-1600V,电流范围4-1800A。
产品型号
|
品类
|
产品状态
|
拓扑
|
电压(V)
|
电流(A)
|
模块高度 (mm)
|
晶圆工艺
|
封装
|
10-0B06PPA004RC-L022A09
|
SiC功率模块
|
Series production
|
PIM+PFC(CIP)
|
600V
|
4A
|
17mm
|
IGBT RC
|
flow 0B
|
选型表 - VINCOTECH 立即选型
VINCOTECH-IGBT功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的IGBT功率模块产品选型,VOLTAGEIN:600-1800V,CURRENTIN:4-1800A
产品型号
|
品类
|
SUB-TOPOLOGY
|
PRODUCT LINE
|
VOLTAGEIN(V)
|
CURRENTIN(A)
|
MAIN CHIP TECHNOLOGY
|
HOUSING FAMILY
|
HEIGHTIN(mm)
|
ISOLATION
|
V23990-K429-A40-PM
|
IGBT功率模块
|
CIB-KE-NTC
|
MiniSKiiP® PIM 3
|
1200
|
75
|
IGBT4
|
MiniSKiiP® 3
|
16
|
Al2O3
|
选型表 - VINCOTECH 立即选型
【产品】1500V/600A的IGBT功率模块B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T
Vincotech(威科)的B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T型IGBT功率模块,该产品击穿电压为1500V,标称芯片额定电流为600A,采用三电平ANPC拓扑结构,可应用于太阳能逆变器中。
110kw电机驱动控制器逆变单元选用1200V/600A FF600R12ME4半桥IGBT功率模块,因成本过高,想选择可Pin To Pin兼容的低成本IGBT模 块,请问是否有合适型号推荐?
推荐Vincotech E3模块A0-VS122PA600M7-L759F70,规格为1200V/600A,可Pin To Pin兼容FF600R12ME4半桥 IGBT功率模块,同时相比FF600R12ME4可降低5~10%设计成本,可满足设计需求。
【产品】600V/100A Sixpack IGBT功率模块10-EY066PA100SA-L194F38T
Vincotech公司推出10-EY066PA100SA-L194F38T IGBT功率模块,击穿电压600V /额定电流100A,属于flowPACK E2产品系列,采用Sixpack拓扑结构和IGBT3芯片技术,flow E2模块外壳,封装尺寸62.8 mm x 57.7 mm x 12 mm,可用于工业驱动。
【产品】1200V/100A的IGBT功率模块V23990-K420-A42-PM
Vincotech推出的IGBT功率模块V23990-K420-A42-PM,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为100A,尺寸为82 mm x 59 mm x 16 mm,拓扑为PIM(CIB),芯片技术采用IGBT4,可应用于嵌入式驱动器,工业驱动等领域。
【产品】1200V/690A的IGBT功率模块A0-VS122PA690M7-L750F70
Vincotech(威科)的IGBT功率模块A0-VS122PA690M7-L750F70,A0-VP122PA690M7-L750F70T,拓扑结构为半桥,标称芯片额定电流为690 A,击穿电压为1200 V,可应用于工业传动,电源,UPS等领域。
【产品】1200V/15A PIM (CIB) IGBT功率模块10-E112PNA015M7-L928C78Z
Vincotech公司推出10-E112PNA015M7-L928C78Z IGBT功率模块,击穿电压1200V/额定电流15A,采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT M7芯片技术,封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm,可用于工业驱动。
【产品】1200V/80A的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y
Vincotech(威科)的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y,属于flowPACK 1 SiC产品系列,拓扑结构为Sixpack,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为80A,标准包装数量为100,模块外壳为flow 1,可应用于充电站,电源等领域。
【产品】兼容主流EASY封装的VINCOTECH flowPIM & flowPACK E1/E2 IGBT功率模块
VINCOTECH最新推出兼容主流EASY封装的flowPIM和flowPACK E1/flowPACK E2 IGBT功率模块。通过预弯DCB实现的flow封装技术,可与散热器发生良好的热接触。与业内其他同类产品相比,热力性能卓越,Rth降低25%,可靠性和功率输出更高,新的IGBT M7芯片级多重采购可确保芯片的安全供应。
【产品】电压高达1600V的IGBT功率模块flow90CON 1,支持90°垂直PCB插入式安装
Vincotech推出的flow90CON 1系列IGBT模块的击穿电压高达1600V,标称芯片电流额定值包括36A、39A、43A、52A、75A,广泛的电流范围使其适用于更多的驱动器应用场景。该器件采用了flow90 1封装,尺寸为84mm x 35mm;其存储温度范围为-40℃到+125℃,工作温度范围为 -40℃到+(Tjmax-25)℃。可用于电机驱动器,伺服驱动器。
【产品】1200V/80A的IGBT功率模块 10-PY12B2A080N3-LP26L26Y
Vincotech(威科)的IGBT功率模块10-PY12B2A080N3-LP26L26Y,属于flowBOOST 1 dual产品系列,采用Booster拓扑结构,该器件采用最新的IGBT和SiC技术,为低电感设计,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为80A,可应用于太阳能逆变器等领域。
电子商城
现货市场
服务
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务;测试内容分Host主机层,Controller控制器层,Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论