【产品】电源转换器设计就选这款40V/6A大功率MOSFET
CXDM4060x是Central推出的大电流MOSFET系列产品。该系列包括N沟道增强型MOSFET CXDM4060N和P沟道增强型MOSFET CXDM4060P。该系列MOSFET的漏极-源极电压可达40V，稳态下持续工作的漏极电流可达6A，大电流适合用于电源转换器电路设计。
CXDM4060x具有超低导通阻抗，其中CXDM4060P的导通阻抗平均值为48mΩ，CXDM4060N的导通阻抗平均值为20mΩ。超低导通阻抗的特性不仅可以有效降低系统的损耗，提高效率，还能减小系统在MOSFET上的压降，可用作电源开关。
CXDM4060x系列MOSFET具有低阈值电压，其中CXDM4060P的阈值电压为2.0V，CXDM4060N的阈值电压为1.7V，超低阈值电压可使MOSFET的开关控制设计更加简单。
CXDM4060x系列MOSFET可用于高频开关设计。其中P沟道MOSFET的导通时间为18ns，关断时间为64ns；N沟道MOSFET的导通时间为27ns，关断时间可达33ns。
CXDM4060x系列MOSFET具有超低总栅极电荷，其中CXDM4060P总栅极电荷为6.5nC，CXDM4060N总栅极电荷为12nC，超低总栅极电荷可降低对驱动电流的要求，更加利于快速导通设计。
CXDM4060N/CXDM4060P的特点：
• 漏极-源极电压最高40V
• 稳态下持续工作的漏极电流可达6A
• 最大脉冲漏极电流20A
• 低导通阻抗：CXDM4060P为48mΩ，CXDM4060N为20mΩ
• 低阈值电压：CXDM4060P为2.0V，CXDM4060N为1.7V
• CXDM4060P的导通时间为18ns，关断时间64ns
• CXDM4060N的导通时间为27ns，关断时间33ns
• CXDM4060P总栅极电荷为6.5nC，CXDM4060N总栅极电荷为12nC
• 热阻为104℃/W，功率耗散为1.2W
• 工作结温范围-55℃~+150℃
CXDM4060N/CXDM4060P的应用：
• 电源开关
• 电源转换器
• 电池供电的便携设备
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