【产品】电源转换器设计就选这款40V/6A大功率MOSFET

2017-05-31 世强
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CXDM4060x是Central推出的大电流MOSFET系列产品。该系列包括N沟道增强型MOSFET CXDM4060N和P沟道增强型MOSFET CXDM4060P。该系列MOSFET的漏极-源极电压可达40V,稳态下持续工作的漏极电流可达6A,大电流适合用于电源转换器电路设计

CXDM4060x具有超低导通阻抗,其中CXDM4060P的导通阻抗平均值为48mΩ,CXDM4060N的导通阻抗平均值为20mΩ。超低导通阻抗的特性不仅可以有效降低系统的损耗,提高效率,还能减小系统在MOSFET上的压降,可用作电源开关。

CXDM4060x系列MOSFET具有低阈值电压,其中CXDM4060P的阈值电压为2.0V,CXDM4060N的阈值电压为1.7V,超低阈值电压可使MOSFET的开关控制设计更加简单。

CXDM4060x系列MOSFET可用于高频开关设计。其中P沟道MOSFET的导通时间为18ns,关断时间为64ns;N沟道MOSFET的导通时间为27ns,关断时间可达33ns。

CXDM4060x系列MOSFET具有超低总栅极电荷,其中CXDM4060P总栅极电荷为6.5nC,CXDM4060N总栅极电荷为12nC,超低总栅极电荷可降低对驱动电流的要求,更加利于快速导通设计。

CXDM4060N/CXDM4060P的特点:
漏极-源极电压最高40V
稳态下持续工作的漏极电流可达6A
最大脉冲漏极电流20A
低导通阻抗:CXDM4060P为48mΩ,CXDM4060N为20mΩ
低阈值电压:CXDM4060P为2.0V,CXDM4060N为1.7V
CXDM4060P的导通时间为18ns,关断时间64ns
CXDM4060N的导通时间为27ns,关断时间33ns
CXDM4060P总栅极电荷为6.5nC,CXDM4060N总栅极电荷为12nC
热阻为104℃/W,功率耗散为1.2W
工作结温范围-55℃~+150℃

CXDM4060N/CXDM4060P的应用:
电源开关
电源转换器
电池供电的便携设备


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  • 老杰克 Lv7. 资深专家 2017-11-15
    good
  • LuckWay Lv8. 研究员 2017-10-23
    又是一个厉害的器件
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