ROHM非隔离型栅极驱动器与超级结MOSFET PrestoMOS™，采用无闩锁效应SOI工艺且损耗更低
ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。本文将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET PrestoMOS™。
（一）采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性非隔离型栅极驱动器
ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺来改善抗闩锁性能，而ROHM的SOI（Silicon On Insulator）工艺通过SOI基板的完全介电分离法提高了耐压性能，并且可以从结构上避免闩锁效应。
（二）反向恢复时间更短的超级结MOSFET PrestoMOS™
PrestoMOS™是一种超级结MOSFET，以往的超级结MOSFET的问题在于内部寄生二极管的反向恢复时间trr特性，而PrestoMOS™系列产品不仅具有更短的反向恢复时间trr，而且损耗更低。
与IGBT相比，PrestoMOS™在中低功率范围内的损耗电压很小，因而可以减少损耗（参见左下图）。另外，在电机驱动电路等电路中，还可以使用高速内部寄生二极管，而无需使用外置快速恢复二极管（FRD）来减少由普通MOSFET和IGBT的再生电流引起的换流损耗。与FRD相比，PrestoMOS™的寄生二极管的VF更低，因此损耗也更低。
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IGBT的构成和功能
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服务
可定制电感最大电流100A，尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm，工作频率100KHZ ~ 2MHZ，感值范围：0.15 ~ 100uh；支持大功率电感，扁平线电感，大电流电感，高频电感，汽车电感器，车规电感，一体成型电感等定制。
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提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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