【元件】 MDD推出多种MOSFET系列产品，助力汽车电子等行业发展
根据Omdia的数据，2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元，在新能源汽车，工业控制、5G通讯等市场需求的加持下，全球增速将保持高速增长，预测在2025年将达到118.47亿美元。
MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是功率半导体的基础器件。
从汽车电子的应用场景看，MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制，都离不开MOSFET。相比较于燃油汽车而言，新能源汽车的智能化、电动化的发展，加快了市场对MOSFET需求的进程，比如DC/DC的高压MOSFET、OBC中的超级结MOSFET等需求激增，以满足实际运行中，对工作电流和电压的更高要求。
MDD辰达半导体凭借多年的行业经验与技术积累，在夯实二极管、三极管、整流桥的产品基础上，积极布局MOSFET系列产品，从产品规划、质量、工艺等方面取得重大突破。目前MDD面向汽车电子、电源、工控、消费电子等应用场景，推出三种工艺MOSFET系列产品，为客户提供高可靠、高性能的解决方案。
Planar MOSFET
采用业界最新的平面技术设计制造而成，具有低导通损耗、高雪崩能量、高可靠性、更好的EMI兼容性等特点。高压平面MOSFET产品涵盖500V-700V系列电压范围，如MDD7N65D、MDD20N50P、MDD12N65F等可满足各种电源系统的需求（主要照明驱动、适配器）。
Trench MOSFET
采用先进的Trench技术设计制造而成，产品具有抗冲击能力强、高雪崩能力、高可靠性等特点。该系列产品涵盖N/P 20V~120V电压范围，如MDD2301、MDD15N10D、MDD2306等针对不同应用领域对器件性能的需求特点采用不同的设计方案，是器件在各个应用场合性能最佳。可广泛应用消费类电子通用器件、小电流等。
SGT MOSFET
采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V，如MDDG04R1P9G、MDDG10R08P、 MDDG10R08D可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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