【产品】赝配高电子迁移率晶体管，噪声系数低至1.5dB

时间： 2017-06-03 来源：世强

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全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商UMS推出了一款超低噪声的40GHz赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT），型号为EC2612-99F。

EC2612-99F采用0.15μm PHEMT技术，120μm的门宽和0.15μm的T形铝基栅极使其具有低电阻和优异的可靠性。得益于先进的制造工艺，使得该器件具有高跨导，典型值为70ms，可完美适用于40GHz的高频应用，如40GHz通信系统中信号的放大等。高跨导同时使其具有1.5dB的超低噪声，确保了通信过程中较低的误码率。

EC2612-99F的夹断电压为-0.7V，饱和漏极电流为40mA（栅极电压VGS=0情况下产生预夹断时的漏极电流），40GHz下相关增益为9.5dB。可在+175°C的温度条件下持续工作，完美适用于高温环境以及密闭环境中，如大功率发射机，井下钻孔雷达等。

EC2612-99F采用die封装，可通过通孔的方式与源极连接，并且仅需要栅极和漏极导线，其芯片大小仅为0.63 x 0.37 x 0.1 mm。

EC2612-99F主要特性：
• 频率：40GHz
• 增益：9.5dB@40GHz
• 噪声系数：1.5dB@40GHz
• 饱和漏极电流：40mA
• 工作温度范围：-55℃~+175℃

EC2612-99F主要应用：
• 40GHz高频应用
• 雷达系统
• 发射机

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fay Lv3. 高级工程师 2018-07-24

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辛巴 Lv8. 研究员 2018-04-19

学习
terrydl Lv9. 科学家 2018-01-19

学习一下！
王颖 Lv6. 高级专家 2017-11-26

学习
自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20

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自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20

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自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20

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莺莺 Lv7. 资深专家 2017-09-14

不错的产品
东 Lv8. 研究员 2017-09-06

路过
applebad Lv4. 资深工程师 2017-06-03

什么材质 GaN 还是InGaP ？
- 世小强回复：是GaAs。

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型号- PH25-20

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型号- PPH15X-20

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2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

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