【产品】赝配高电子迁移率晶体管,噪声系数低至1.5dB
全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商UMS推出了一款超低噪声的40GHz赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT),型号为EC2612-99F。
EC2612-99F采用0.15μm PHEMT技术,120μm的门宽和0.15μm的T形铝基栅极使其具有低电阻和优异的可靠性。得益于先进的制造工艺,使得该器件具有高跨导,典型值为70ms,可完美适用于40GHz的高频应用,如40GHz通信系统中信号的放大等。高跨导同时使其具有1.5dB的超低噪声,确保了通信过程中较低的误码率。
EC2612-99F的夹断电压为-0.7V,饱和漏极电流为40mA(栅极电压VGS=0情况下产生预夹断时的漏极电流),40GHz下相关增益为9.5dB。可在+175°C的温度条件下持续工作,完美适用于高温环境以及密闭环境中,如大功率发射机,井下钻孔雷达等。
EC2612-99F采用die封装,可通过通孔的方式与源极连接,并且仅需要栅极和漏极导线,其芯片大小仅为0.63 x 0.37 x 0.1 mm。
EC2612-99F主要特性:
• 频率:40GHz
• 增益:9.5dB@40GHz
• 噪声系数:1.5dB@40GHz
• 饱和漏极电流:40mA
• 工作温度范围:-55℃~+175℃
EC2612-99F主要应用:
• 40GHz高频应用
• 雷达系统
• 发射机
相关技术文档:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 10
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
评论
全部评论(10)
-
fay Lv3. 高级工程师 2018-07-24赞赞赞赞
-
辛巴 Lv8. 研究员 2018-04-19学习
-
terrydl Lv9. 科学家 2018-01-19学习一下!
-
王颖 Lv6. 高级专家 2017-11-26学习
-
自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20不错,赞一个。收藏备用。
-
自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20不错,赞一个。收藏备用。
-
自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20不错,赞一个。收藏备用。
-
莺莺 Lv7. 资深专家 2017-09-14不错的产品
-
东 Lv8. 研究员 2017-09-06路过
-
applebad Lv4. 资深工程师 2017-06-03什么材质 GaN 还是InGaP ?
- 世小强回复: 是GaAs。
相关推荐
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F,兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造,产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm,能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案,可运用于雷达和通信领域。
新产品 发布时间 : 2018-12-23
【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管,射频功率应用首选
UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管,具有所有GaN关键优势,高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力,兼容脉冲和CW操作模式,为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案,非常适用于雷达和通信等领域中。
新产品 发布时间 : 2017-09-25
【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F,适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术,符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
新产品 发布时间 : 2019-04-03
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型表
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5,Saturated Power(W):14-180,Bias(mA):0.1-1300,Bias(V):30-50.
产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
UMS 射频MMIC芯片选型指南
描述- UMS has a comprehensive offer based on the supply of either ASIC or catalogue products, in the main based on the Company’s internal III-V technologies and through the provision of a comprehensive foundry service, allowing customers to directly create their own product solutions.
型号- CHA7618-99F,CHA2441-QAG,CHV2421-QDG,CHT4016-99F,CHA5618-99F,CHK9013-99F,PPH25,CHA6105-99F,CHA4105-99F,CHR3693-QDG,CHA4314-98F,CHX2095A99F,CHP3015-QDG,CHC2444-QBB,PH25,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA3664-QAG,CHA7115-99F,CHA3514-99F,CHC6094-QKB,CHV3241-QDG,CHR2411-QDG,CHA5115-99F,CHS5104-QAG,CHA6652-98F,CHA8012-99F,CHA8362-99F,PH10,CHA6551-99F,CHA6652-QXG,CHA5005-QDG,CHP4014-98F,PH15,CHA4253AQQG,CHW4313-QAG,CHA3398-98F,CHA6095-QKB,CHA2494-98F,CHT3029-99F,CHT3091A99F,CHR3762-QDG,CHA7453-99F,CHP4014-QEG,CHT4690-QAG,CHR3364-QEG,CHA3395-98F,CHA2293-99F,CHX1191-QDG,CHV1203-FAB,CHP4010-99F,CHX2089-99F,CHA5266-99F,CHA4253-FAB,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHE1260-QAG,PPH15X,CHA6005-99F,CHA3656-QAG,CHR3662-QDG,CHW4213-QAG,CHU3377-98F,CHR3693-FAB,CHA5014-99F,CHKA012A99F,CHZ180A-SEB,CHT4694-QAG,CHX2092A99F,BES,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHX2193-FAB,CHA2394-99F,CHT4690-FAB,HB20M,CHM2179B98F,CHA3092-99F,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA8252-99F,CHZ180AASEB,CHK015AAQIA,CHP3010A98F,CHA3511-99F,CHA2595-98F,CHX1162-QDG,CHR1080A99F,CHT4016-QEG,CHP1102-QGG,CHA4105-QDG,CHR3693-99F,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6682-98F,CHP1102-98F,CHA2090-99F,CHA1010-99F,CHU2277-99F,CHR3394-QEG,CHA4350-QDG,CHA3801-99F,CHR3663-QEG,CHX2193-99F,CHC1443-QRA,CHX1191-98F,CHA3666-99F,CHM1080-98F,CHR3763-QDG,CHS8618-99F,CHA7452-99F,CHA3409-98F,CHA2362-98F,GH25,CHA5266-QDG,CHR3764-QEG,CHT3029-QEG,CHA3024-QGG,CHA2098B99F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHR2294-99F,CHA3063-99F,CHA3395-QDG,CHK8015-99F,GH15,CHA6550-98F,CHA2494-QEG,CHA8611-99F,CHR2270-QRG,CHA8710-QDB,CHA2066-99F,CHM1291-99F,CHA3801-FAB,CHP4511-99F,CHA8710A99F,CHS5104-FAB,CHK5010-99F,CHP4012A98F,CHA3080-98F,CHA6550-QXG,CHA5659-98F,CHM1294-99F,CHK8101-SYC,CHX2090-QDG,CHA3512-99F,CHK8013-99F,CHA1008-99F,CHA8618-99F,CHA2190-99F,CHA5350-99F,CHS5100-99F,CHA3565-QAG,CHA6682-QKB,CHV1203A98F,CHA5659-QXG,CHP3010-QFG,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3024-99F,CHA4253A98F,CHA7062-QCB,CHA3801-QDG,CHR3664-QEG,CHA2110-QDG,CHX2192-99F,CHR3362-QEG,CHA2595-QDG,HP07,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-99F,CHR2421-QEG,CHT4699-QDG,CHZ015AAQEG,CHS5104-99F,CHP1102-QDG,CHT4690-99F,CHR3861-QEG,CHP4012-QEG,CHA8100-99F,CHT3091AQAG,CHX3068-QDG,CHR3894-98F,CHZ8012-QJA,CHA2266-99F,CHS2411-QDG,CHV1206A98F,CHA8352-99F,CHA3218-99F,CHR2295-99F,CHA7455-99F,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,CHA1077A98F,CHX2091-99F,CHA2193-99F,CHA3666-FAB,CHA3024-FDB,CHM1290-99F,CHA8610-99F,CHT4694-99F,CHM2378A99F,CHA6710-FAB,CHA2157-99F,CHU2277A98F,CHS7012-99F,CHA8254-99F,CHA2110-98F,CHA3023-99F,CHKA011ASXA,CHA3656-FAB,CHC3014-99F,CHA6262-99F,CHA8262-99F,CHKA012BSYA,CHM1270A98F,CHT4012-QDG,CHA2411-QDG,CHA6094-QKB,CHP3015-99F,CHE1260-98F,CHA4107-QDG,CHA3513-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA7114-99F,CHK8201-SYA,CHA3397-QDG,CHA2080-98F,CHV2411AQDG,CHA3665-QAG,CHE1270-QAG,CHA2292-99F,CHT4660-FAB,CHV2240-99F,CHA8312-99F,CHA6710-99F,CHC2442-QPG,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7215-99F,CHA6354-QQA,CHK8101A99F,CHA4102-QEG,CHA4220-98F,CHC6054-QQA,CHR2291-99F,CHS5105-QAG,CHA6653-98F,CHA6362-QXG,CHA6005-QEG,CHA2066-QAG,CHT4012A98F,CHV2243A99F,CHA8054-99F,CHZ9012-QFA,CHA6282-QCB,CHX2090-99F,CHA3689-99F,CHE1270A99F,CHR3894-QEG,CHA6194-QXG,EC2612-99F,CHR2296-99F,CHE1270A98F,CHA6356-QXG,CHA8612-QDB,CHM1298-99F,CHA6357-QKB,CHA8212-99F,CHA4220-QGG
UMS CHK8013-99F 14W功率晶体管数据手册
描述- CHK8013-99F GaN HEMT on SiC 14W Power Transistor datasheet
型号- CHK8013-99F,CHK8013-99F/00
PH10 The UMS 0.1μm GaAs Very High Frequency pHEMT Process
型号- PH10,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F
【产品】0.15μm pHEMT改进型高电子迁移率晶体管PH15,主要应用于高频电路
PH15是UMS公司推出的一款射频二极管,该二极管的阈值电压典型值为-0.75V,饱和电流Idmax典型值为280mA/mm,击穿电压Vbds典型值为6V,跨导Gme典型值为95mS,最大值为110mS,与其他同类产品相比,PH15具有很低的输入电容与反馈电阻。其输入电容仅为110fF(额定值),最大不超过140fF,反馈电容仅为25fF,最大不超过30fF。
新产品 发布时间 : 2018-10-14
EC2612-99F 40GHz SuperLow Noise pHEMT Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor data sheet
型号- EC2612,EC2612-99F,EC2612-99F/00
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论