【产品】赝配高电子迁移率晶体管,噪声系数低至1.5dB

2017-06-03 世强
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全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商UMS推出了一款超低噪声的40GHz赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT),型号为EC2612-99F。

EC2612-99F采用0.15μm PHEMT技术,120μm的门宽和0.15μm的T形铝基栅极使其具有低电阻和优异的可靠性。得益于先进的制造工艺,使得该器件具有高跨导,典型值为70ms,可完美适用于40GHz的高频应用,如40GHz通信系统中信号的放大等。高跨导同时使其具有1.5dB的超低噪声,确保了通信过程中较低的误码率。

EC2612-99F的夹断电压为-0.7V,饱和漏极电流为40mA(栅极电压VGS=0情况下产生预夹断时的漏极电流),40GHz下相关增益为9.5dB。可在+175°C的温度条件下持续工作,完美适用于高温环境以及密闭环境中,如大功率发射机,井下钻孔雷达等。

EC2612-99F采用die封装,可通过通孔的方式与源极连接,并且仅需要栅极和漏极导线,其芯片大小仅为0.63 x 0.37 x 0.1 mm。

EC2612-99F主要特性:
频率:40GHz
增益:9.5dB@40GHz
噪声系数:1.5dB@40GHz
饱和漏极电流:40mA
工作温度范围:-55℃~+175℃


EC2612-99F主要应用:
40GHz高频应用
雷达系统
发射机


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  • fay Lv3. 高级工程师 2018-07-24
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  • 辛巴 Lv8. 研究员 2018-04-19
    学习
  • terrydl Lv9. 科学家 2018-01-19
    学习一下!
  • 王颖 Lv6. 高级专家 2017-11-26
    学习
  • 自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20
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  • 自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20
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  • 自强 Lv7. 资深专家 2017-10-20
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  • 莺莺 Lv7. 资深专家 2017-09-14
    不错的产品
  • Lv8. 研究员 2017-09-06
    路过
  • applebad Lv4. 资深工程师 2017-06-03
    什么材质 GaN 还是InGaP ?
    • 世小强回复: 是GaAs。
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