【元件】 采用FCQFN小体积封装的两款100V新品氮化镓功率器件,旨在提高电源功率转换效率,降低系统损耗与成本

2023-08-17 英诺赛科 微信公众号
氮化镓功率器件,GaN,INN100FQ016A,INN100FQ025A 氮化镓功率器件,GaN,INN100FQ016A,INN100FQ025A 氮化镓功率器件,GaN,INN100FQ016A,INN100FQ025A 氮化镓功率器件,GaN,INN100FQ016A,INN100FQ025A

英诺赛科宣布推出两款100V新品氮化镓功率器件,旨在提高电源功率转换效率,降低系统损耗与成本。产品可应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、高频DC-DC转换器及电机驱动等场景。

此前,英诺赛科已相继发布了INN100W032AINN100W027AINN100W070A等采用WLCSP封装的100V产品,并获得市场良好反馈。基于终端应用多样化,英诺赛科再次推出INN100FQ016AINN100FQ025A,采用FCQFN小体积封装,延续了低导阻、低栅极电荷、低开关损耗和极低的反向恢复电荷等特性,具有良好的效率表现。


值得注意的是,INN100FQ016A与英诺赛科150V系列产品INN150FQ032A和INN150FQ070A采用兼容引脚设计,客户可以根据不同的应用需求进行规格选型。


产品特性

  • 极低的栅极电荷

  • 超低的导通电阻

  • 100V/1.8mΩ,100V/2.8mΩ

  • 超小的封装体积

  • FCQFN封装4mmx6mm,3mmx5mm


与Si MOS相比,INN100FQ025A的Ciss为1500pF(仅为Si MOS的1/5),Qg为14nC(仅为Si MOS的1/6),器件开关速度和开关损耗具备显著优势。


应用领域

  • 电机驱动

  • LLC同步整流

  • 高频DC-DC转换器

  • POL开关转换器

  • PC充电器

  • 移动电源


目前,INN100FQ016A和INN100FQ025A两款产品均已成功量产,详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型均可在英诺赛科官网获取。

随着氮化镓技术及供应链的不断成熟,其优越特性和成本优势逐渐显现。英诺赛科100V GaN系列新增的两款FCQFN封装芯片,以其不同的导通电阻及不同的封装类型,拓展了更广泛的功率场景,不仅为客户提供了更多选择,还进一步扩大了氮化镓在多个领域的应用。基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代,英诺赛科的产品质量和交付能力也将为合作伙伴提供强有力的支持与保障。

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本文由玉鹤甘茗转载自英诺赛科 微信公众号,原文标题为:英诺赛科100V GaN 再添新品,采用FCQFN封装,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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品类:MOSFET Driver

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品牌:SGMICRO

品类:MOSFET Driver

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品类:单通道低侧栅极驱动器芯片

价格:¥2.2400

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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品牌:EPC

品类:Laser Driver IC

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现货: 2,260

品牌:EPC

品类:Mode GaN Power Transistor

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品牌:SGMICRO

品类:MOSFET Driver

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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥10.5122

现货: 1,620

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

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