【产品】用于评估EPC2101、EPC2102 eGaNICr的半桥开发板EPC9037/EPC9038
宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9037、EPC9038开发板,通过把所有关键元件集结在一块,可以轻松连接到任何现有转换器的电路板上,从而简化对单片集成的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2101、EPC2102 的评估过程。
图1 EPC9037/38开发板
开发板的最大输出电压均为60V,而最大输出电流分别为22A、20A,采用单片半桥拓扑结构并配有板载栅极驱动器,栅极驱动器的输入电压范围为7V-12V,开发板分别内含EPC2101、EPC2102增强型氮化镓集成电路(eGaNIC)。
表1 EPC9037参数表(EPC9037Iout为22A)
图2 EPC9037/EPC9038开发板框图
氮化镓场效应晶体管开发板总结:
1、开发板的尺寸均为2”x 2”;
2、包含一个采用德州仪器LM5113栅极驱动器,电源和旁路电容的半桥配置的eGaNIC。该开发板包含所有关键组件和布局,以实现最佳切换性能;
3、具有额外的区域可用于在电路板上添加降压输出滤波器组件;
4、电路板上还有多个探测点,以便简单波形的测量及效率计算;
5、EPC9037、EPC9038开发板可用于EPC2101、EPC2102冷却散热的评估标准,增加散热和强制空气冷可以显着提高该开发板的额定电流;
6、需要注意的是: 这两款开发板没有过流或过热保护,最大核心温度不能超过150°C。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
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EPC半桥Demo选型表
EPC提供半桥Demo选型:VDS(最大值)(V):20V~350V,Id(RMS最大值)(A):1A~65A
产品型号
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品类
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Description
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VDS max(V)
|
ID(max RMS)(A)
|
Featured Product
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EPC9086
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开发板
|
Half Bridge Plus Driver
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30
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15
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EPC2111
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选型表 - EPC 立即选型
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产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
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【经验】EPC进行一系列严格的压力测试,以保证eGaN FET可靠性
前面内容详细介绍了EPC公司的增强型氮化镓(eGaN)FET和集成电路(ICS)的现场可靠性经验。 eGaN器件卓越的现场可靠性证明了基于应力的鉴定测试能够确保客户应用的可靠性。 在本文中,我们将研究EPC设备进行压力测试来保证产品的合格性。EPC产品只有完成一系列严格的应力测试才能为生产做准备,同时在数据表规格内运行。采用压力测试来加速潜在的故障模式。
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.4342
现货: 485
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.2431
现货: 401
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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