【产品】低导通N沟道金属氧化物场效应晶体管,最大漏极持续电流高达126A
新电元(SHINDENGEN)公司一直致力于功率电子领域,近日推出了一款N沟道金属氧化物场效应晶体管——P126FP10SNK,相对于P沟道MOS管,导通电阻更小,并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为100.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为126.0A,具有高电流、低导通电阻、低电容的特点。体积小巧同时适合大规模批量生产,是中大功率电源类应用的理想选择。广泛使用于负载/电源开关,继电器驱动,电源转换器电路等应用。
采用SMD(Surface Mounted Devices)表面贴装,以Sn为主要材料,大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FP,是一款具体尺寸为13.3mm(W)X10.2mm(H)X4.6mm(D)mm,适用于小型嵌入式电器设计。
图1 P126FP10SNK外部视图
P126FP10SNK的最大栅极/源极电压VGSS为±20V,最大总耗散功率Pt为238.0W,提高了能源利用效率,同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为3.8mΩ,最高沟道温度Tch为175.0℃,总栅极电荷量典型值Qg为160.0 nC。
图2 P126FP10SNK典型输出特性及转移特性曲线
P126FP10SNK的主要特点:
• 最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为100.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±20V
• 最大漏极持续电流(DC)Id为126.0A,最大总耗散功率Pt为238.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为3.8mΩ
• 最高沟道温度Tch为175.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为160.0 nC
• 采用FP封装, 尺寸大小为13.3mm(W)X10.2mm(H)X4.6mm(D)
P126FP10SNK的典型应用:
• 负载/电源开关
• 继电器驱动
• 电源转换器电路
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