【应用】国产超级结MOSFET TPW65R090M用于PC电源PFC部分,可实现更高效率及更低系统总成本
PC电源即电脑电源,是电脑各部件供电的枢纽,把AC220V交流电,转换成直流电12V以及5V,分别输送到各个元件专门为机箱内部配件供电的设备,如主板,驱动器,显卡等供电。
如图1为常见的PC电源电路图框,主要包括AC220V整流、PFC、半桥LLC、同步整流电路组成,在400W PC电源的PFC电路中,运用到开关MOS管,根据整流输出电压在300V~400V的运用电压以及功率输出400W的参数限制,推荐选用无锡紫光微的超级结MOSFET TPW65R090M,该器件具有以下特点:
1、漏源电压最大额定值为650V,满足AC220V整流为300V左右的电压范围要求,并留有足够电压余量。栅源电压最大额定值为±30V,可有效抵抗栅极电压震荡。
2、导通电阻为最大90毫欧,极大降低器件损耗,以及电源降低功耗;续漏极电流在25℃时最大额定值为47A,在100℃时最大额定值为28.2A,对于400W电源功率可充分够用。
3、TO-247封装常规封装,可满足对其他高成本品牌的降本替换。
4、工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,完全适合于消费类电源市场运用。
5、国产器件,保证供货周期。
图1
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由搬砖小能手提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】国产超级结MOSFET用于3kw伺服控制器辅助电源,最大导通电阻仅为0.6Ω
本文主要介绍国产紫光微超级结MOSFET TPD65R600M应用于3kw伺服驱动器辅助电源的优势。该MOS管VDS电压为650V,单相整流后输出电压一般在350V范围;导通电阻为最大0.6Ω;连续漏极电流在25℃时最大额定值为7A,一般辅助电源功率在10几瓦特。
【应用】650V超级结MOSFET TPA65R600M助力80W LED驱动电源,有效提高LED驱动电源效率
本文主要介绍无锡紫光微超级结MOSFET TPA65R600M在80W LED驱动电源半桥LLC部分运用优势: 该MOS管VDS电压650V,满足应用需求;导通电阻为最大600毫欧,可降低导通损耗,降低输入电源功耗,提高LED驱动电源效率;TO-220F塑封封装,不需要外加绝缘散热材料,有效较小布局空间,使得LED驱动电源体积做的更小。
【应用】国产超级结功率MOSFET TPP65R170M用于智能调光模块,导通电阻低至150mΩ
紫光微的TPP65R170M的智能调光模块中的应用,具有低导通电阻的特点。如今智能家居已开始慢慢走入人们的家庭,而智能调光模块就是智能灯光系统的一个组成部分。推荐无锡紫光微的超级结功率MOSFET TPP65R170M在智能调光模块中应用。
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
产品型号
|
品类
|
Package
|
BVdss(V)
|
ID(A)Tc=25℃
|
Vth(V)min
|
Vth(V)max
|
Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
|
Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
|
TPW50R060C
|
Super Junction MOSFET
|
TO-247
|
500
|
47
|
2.5
|
4
|
0.043
|
0.06
|
选型表 - 无锡紫光微 立即选型
【选型】可替换东微OSG65R099HZF的超级结功率MOSFET,应用于通信电源,反向恢复时间trr更低
随着5G通信的普及,通信电源在满足高效率、高功率密度以及高可靠性的同时,也趋向于低成本化,目前了解到通信电源上有用到国产东微半导体高压超级结MOS管OSG65R099HZF ,本文主要介绍国产紫光微的超级结功率MOSFET TPW65R100MFD可完美替换东微OSG65R099HZF,两者主要参数对比如表一:
无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表
无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型,Rdson(mΩ) Vgs=10V FT typ:15.6~2000,Rdson(mΩ) Vgs=10V FT max:18~2200。
产品型号
|
品类
|
Product State
|
封装形式
|
Rdson(mΩ) Vgs=10V FT typ
|
Rdson(mΩ) Vgs=10V FT max
|
BVdss(V) min
|
BVdss(V) typ
|
ID(A)
|
Vth(V)min
|
Vth(V)max
|
应用建议
|
TPW120R800A
|
SJ-MOSFET
|
M
|
TO-247
|
640
|
800
|
1200
|
1320
|
12
|
2.5
|
4
|
辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
|
选型表 - 无锡紫光微 立即选型
【产品】采用TO-247封装的650V超级结功率MOSFET TPW65R170M
无锡紫光微推出的TPW65R170M是一款650V超级结功率MOSFET,采用了TO-247封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。
SW7N65K N沟道增强型TO-220F/TO-220SF/TO-251/TO-251N/TO—252/TO—220 MOSFET
描述- 本资料介绍了SW7N65K型N沟道增强模式MOSFET的特性。该器件采用SAMWIN公司的超级结先进技术制造,具有快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和优异的电击穿能力等特点。适用于充电器、LED、PC电源等领域。
型号- SW7N65K
TPG65R360M 650V超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了无锡微电子有限公司生产的TPG65R360M型650V超级结功率MOSFET。该器件采用多EPI技术,具有极低的开关、传导和通态损耗,适用于高频应用,提供更高的可靠性和效率。
型号- TPG65R360M
650V超级结N沟道MOSFET
描述- 扬杰科技发布650V系列超结产品,采用特殊多层外延工艺制程设计,具备低导通损耗、低开关损耗、良好的EMI兼容性等特点,适用于多种电路拓扑结构。
型号- YJD12C65H,YJF12C65H
SW5N65K3 N沟道增强型TO-252 MOSFET
描述- 本资料介绍了SW5N65K3型号的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SAMWIN公司的先进超级结技术制造,具有高鲁棒性、低导通电阻(典型值为0.8Ω)、低栅极电荷(典型值为10nC)和优异的雪崩特性。适用于充电器、LED和PC电源等领域。
型号- SW5N65K3
TPA80R300A、TPP80R300A、TPR80R300A800V超级结功率MOSFET
描述- 该资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TPA80R300A、TPP80R300A和TPR80R300A三种800V超级结功率MOSFET。这些器件采用深沟槽超级结技术,具有非常低的开关损耗、传导损耗和通态电阻乘以电荷量(FOM RDS(on)×Qg),适用于高电压应用。
型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A
TPW60R028DFD 600V超级结功率MOSFET\r
描述- 本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TPW60R028DFD型号600V超级结功率MOSFET。该器件采用深沟槽技术,具有超低开关、传导和通态损耗,适用于高频应用,提供更高的可靠性和效率。
型号- TPW60R028DFD
SW14N65KL4 N沟道增强型TO-252 MOSFET
描述- 本资料介绍了SW14N65KL4型号的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SAMWIN公司的先进超级结技术制造,具有高鲁棒性、低导通电阻(典型值为0.24Ω)、低栅极电荷(典型值29nC)和优异的雪崩特性。适用于充电器、LED和PC电源等应用。
型号- SW14N65KL4,SW D 14N65KL4
TPA80R180M、TPB80R180M 800V超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的两款800V超级结功率MOSFET——TPA80R180M和TPB80R180M。这些器件采用多EPI技术,具有极低的开关、通信和导通损耗,适用于高电压应用,特别适合于谐振切换应用。
型号- TPA80R180M,TPB80R180M
电子商城
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥13.1612
现货: 50
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥4.9543
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥4.9543
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥2.5825
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥3.1396
现货: 30
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥8.1360
现货: 30
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论