【产品】650V/8.3A/27nC的碳化硅肖特基二极管B1D08065E，采用TO-252-3封装

时间： 2020-03-12 来源：基本半导体

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基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管 B1D08065E，采用TO-252-3封装，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为8.3A，总电容电荷典型值为27nC，具有开关损耗低、电磁干扰小、系统效率高、开关频率高、功率密度大等优点，广泛应用在开关电源、不间断电源、电机驱动器以及功率因数校正等领域。

特征

⚫反向电流极低

⚫无反向恢复电流

⚫与温度无关的开关特性

⚫V_F上的正温度系数

⚫浪涌电流能力好

⚫低电容电荷

优点

⚫几乎没有开关损耗

⚫相比硅二极管的系统效率提高

⚫功率密度增加

⚫开关频率更高

⚫减少散热器要求

⚫可使用的磁性元件更小，节约了系统成本

⚫降低电磁干扰

应用

⚫开关电源

⚫不间断电源

⚫电动机驱动器

⚫功率因数校正

封装管脚定义

⚫Pin1阴极

⚫Pin2阴极

⚫Pin3阳极

最大额定值

热特性

电气特性

静态特性（Tj=25°C，除非另有规定）

动态特性（Tj=25°C，除非另有规定）

封装尺寸

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ACE Lv8. 研究员 2020-03-12

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