【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR11NS65AFG，漏源电压最大额定值高达650V

时间： 2023-03-27 来源：福斯特半导体

FIR11NS65AFG是福斯特半导体推出的一款采用DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。此外，该系列器件还支持通用应用特性，例如，可用于硬交换拓扑和软交换拓扑应用，器件封装及产品图示如下：

器件特征

11A,650V,R_{DS(on)(典型值)}=0.33Ω@V_GS=10V
器件采用创新的革命性高压技术
器件具有超低栅极电荷特性
支持周期性雪崩额定值
具有超乎寻常的dv/dt额定值特性
器件具有高峰值电流能力特性

绝对最大额定值(T_C=25℃，除非另有说明)

热阻值

漏-源二极管额定值和电气参数

Note：

1.L=79mH,I_AS=2.4A,V_DD=100V,R_G=25Ω,T_J=25℃起始；

2.V_DS=0~400V,I_SD≤11A,T_J=25℃;

3.V_DS=0~480V;

4.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

5.几乎与工作温度无关；

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产品型号	品类	VDS(V)	ID (A)	RDSon (Ω)
FIR10N50FG	MOS	500V	10A	0.70Ω

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