【选型】国产MOSFET驱动芯片IVCR1801SR替代TI的LM5114BMF用于通信电源输出同步整流
在通信电源的输出同步整流应用中，输出目前大多数选用Si MOSFET作为功率开关器件，而MOS开关就需要用到栅极驱动芯片，市面上有用到TI 的LM5114BMF，目前行业芯片供应紧张，不少厂家需求国产替代。本文主要介绍上海瞻芯电子的MOSFET驱动芯片IVCR1801SR替代TI LM5114BMF在通信电源输出同步整流上进行应用。
表一：IVCR1801SR与 LM5114BMF主要参数对比
从以上对比表可知：
1、 最大工作电压方面，瞻芯IVCR1801SR可做到24V，相对于LM5114BMF具有更高的工作电压，高的工作电压保证设计余量，提高对波动电压的抵抗能力；
2、 输入侧负压方面，瞻芯IVCR1801SR可做到-5V，而LM5114BMF较低只有-0.3V，故IVCR1801SR具有良好的抵抗负压能力；
3、 驱动电流方面，瞻芯IVCR1801SR拉电流可达4A，较LM5114BMF的1.3A，驱动MOS开通能力更强，可减少驱动芯片数量，进而节约成本，减少布板面积；灌电流能力方面两者相差不大，均具备高关断MOS工作电流能力；
4、 开关延时方面，两者相差不大，都具备较短的传输延迟时间，针对500kHz以上的MOS开关频率均可适用；
5、 两者的封装均为SOT-23-6封装，管脚定义相同，可直接PIN-TO-PIN 替代，如下对比：
图1:IVCR1801SR与 LM5114BMF封装以及管脚定义
除以上参数优势外，上海瞻芯电子IVCR1801SR是国产芯片，供货交期和价格更具优势，如有需求，可联系世强申请样品测试。
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瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
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产品手册SiC功率半导体和IC解决方案
瞻芯电子（InventChip Technology Co., Ltd.）是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体和集成电路解决方案的领先供应商。公司成立于2017年，总部位于上海。IVCT致力于开发SiC功率器件、功率模块、栅极驱动器和控制器IC，提供一站式芯片解决方案。公司拥有6英寸SiC MOSFET技术，并拥有汽车级SiC晶圆厂，致力于按时、高质量地交付SiC产品，并追求持续的技术创新。产品涵盖SiC功率器件、SiC功率模块、栅极驱动器和控制器IC等。
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瞻芯电子荣获“国产功率器件-SiC行业卓越奖”和“国产模拟IC卓越奖-入围奖”
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【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™（Nextdrive®）SiC专用驱动，支持多领域高效应用（上）
基于碳化硅（SiC）MOSFET的应用特点，瞻芯电子创新开发了比邻驱动™（Nextdrive®）系列碳化硅 （SiC）专用栅极驱动芯片，以确保碳化硅MOSFET安全、可靠和高效运行，也能有效降低应用系统的总体物料成本。
瞻芯电子新品速递 2024-08
瞻芯电子最新发布两款产品，包括SiC MOSFET和高性能比邻驱动TM芯片。SiC MOSFET具备高耐压、高速特性，适用于EV电机驱动、光伏升压变换器等领域；比邻驱动TM芯片符合车规级可靠性标准，应用于AC/DC和DC/DC变换器、电机驱动等场景。
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瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖，致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化
2017年，瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立，前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化，现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造（IDM）企业，累计交付核心产品：碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗，驱动芯片约4800万颗，广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。
【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。
瞻芯电子七周年庆：创新驱动，碳化硅（SiC）技术改变未来
2024年7月17日，瞻芯电子迎来了成立7年周年的重要时刻。在过去的一年里，瞻芯电子顺利完成了股份改制，转型为股份有限公司，持续提升经营管理能力。公司还荣获了国家级专精特新“小巨人”企业等多项荣誉，彰显了其在行业内的卓越地位。同时，瞻芯电子在浙江义乌的碳化硅（SiC）晶圆厂的运营管理水平得到显著提升，通过了严格的IATF16949汽车质量管理认证，晶圆产线良率不断提高，流片周期进一步缩短。
瞻芯电子新品速递 2024-07
瞻芯电子于2024年7月推出两款新品：SiC MOSFET和比邻驱动TM芯片。SiC MOSFET具备高速、低寄生电容、高可靠性和175℃工作结温等特点，适用于智能电网、高压直流变换器、开关电源等领域。比邻驱动TM芯片通过车规级可靠性认证，支持5.7kVrms隔离电压，适用于AC/DC和DC/DC变换器、电机驱动、车载逆变器等应用。
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瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新
特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET，开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型，并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。
碳化硅（SiC）助力光储系统升级，瞻芯电子邀您来探广州光伏展！
2024年8月8日-10日，瞻芯电子将于广交会B馆参加第16届广州国际太阳能光伏储能展，展示最新的1200V-2000V碳化硅（SiC）分立器件和模块产品，以及最新的SiC专用-隔离驱动芯片IVCO141x，欢迎各界朋友莅临10.1馆-S729展位参观，现场有精美小礼相送。
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