【产品】群芯微推出的P沟道增强型功率MOSFET QX3401系列，采用沟槽式DMOS技术，支持高功率和高电流处理能力
群芯微推出的P沟道增强型功率MOSFET QX3401系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
器件特征
-30V/-4.2A
RDS(ON) =130mΩ @VGS =-2.5V
RDS(ON) =75mΩ @VGS =-4.5V
RDS(ON) =55mΩ @VGS =-10V
快速开关特性
支持高功率和高电流处理能力
绿色环保器件可选
支持SOT-23外壳封装
应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值（TA=25℃除非另有说明）
注1，重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温。
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