【产品】DFN3333-8L封装P沟道增强型MOSFET PJQ4465AP-AU，电气特性为-60V/-15A
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4465AP-AU（-60V/-15A）P沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
该P沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON), VGS@-10V, ID@-5A<48mΩ
•RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3A<65mΩ
•开关速度快
•改进的dv/dt能力
•反向传输电容低
•通过车规AEC-Q101认证
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
该P沟道增强型MOSFET机械数据：
•外壳：DFN3333-8L封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.001盎司，0.03克
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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