【产品】150V/8.5mΩ N沟道功率MOSFET JMSH1509AGQ,连续漏极电流额定值78A
JMSH1509AGQ是捷捷微电推出的一款150V 8.5mΩ 的N沟道功率MOSFET,采用PDFN5x6-8L封装,具有低漏源导通电阻、低栅极电荷和大电流能力等特性。JMSH1509AGQ的漏源电压额定值为150V,栅极开启阈值电压典型值3.2V(VDS = VGS, ID = 250μA),连续漏极电流额定值78A(VGS = 10V,Tc=25℃),静态漏源导通电阻的典型值为8.5mΩ(VGS=10V, ID=20A),结到环境的热阻值最大值为65℃/W,结到壳的热阻最大值为1.0℃/W。产品实物图和等效电路图如下。
产品特性
• 超低RDS(ON)
• 低栅极电荷
• 大电流能力
• 100% UIS测试,100% Rg测试
• 符合AEC-Q101标准
• 用于汽车应用的功率MOSFET
订购信息
绝对最大额定值(@TA=25℃,除非另外说明)
电气参数(@TJ=25℃,除非另外说明)
热阻
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