【产品】采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET SLD80N03T，具有极低的导通电阻，可提供优异的开关性能
美浦森推出的N沟道MOSFET--SLD80N03T，漏-源电压额定值为30V，连续漏极电流为80A，采用了D-PAK封装，具有极低的导通电阻和低电容等特性，优化了传导损耗，提供了高开关性能，适用于PWM、负载开关、电源管理等领域。
图1 SLD80N03T的实物图、封装形式和内部电路图
概述
该功率MOSFET使用Maplesemi的先进沟槽技术生产。
这种特别定制的先进技术可以最小化传导损耗，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
特点
N沟道：30V 80A
RDS（on）Typ=4.0mΩ@VGS=10V
RDS（on）Typ=7.0mΩ@VGS=4.5V
极低导通电阻RDS（ON）
低反向传输电容
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
注释：
脉冲宽度受最大结温限制
EAS条件：TJ=25℃，VDD=15V，VG=10V，RG=25Ω，L=0.5mH
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