【产品】1.2kV碳化硅肖特基二极管C4D10120H,C4D20120H,无切换损耗,非常适合大功率开关电源设计
WOLFSPEED成立于1987年,在电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。在产品技术上,CREE一直以“SiC技术”见长,世界上超过90%的SiC晶片都由它制造,是当之无愧的半导体行业巨头。
C4D10120H/C4D20120H是Wolfspeed推出的碳化硅肖特基二极管。C4D10120H/C4D20120H具有高达1.2kV的反向重复峰值电压。在TC=135℃时,C4D10120H的正向电流高达15A,C4D20120H正向电流高达26A,二者皆具有非常强的负载能力。C4D10120H/C4D20120H采用Z-Rec®技术,具有0反向恢复电流的特点。它们还具有高频特性、极速切换、具有独立温度开关和正温度系数等特性,非常适合在大功率开关电源、PFC或DC/DC、AC/DC及逆变器等应用中使用。
图1 C4D10120H/C4D20120H实物图
C4D10120H/C4D20120H利用单极整流器替换双极整流器,基本没有切换损耗,能效高。得益于它们独特的材料,C4D10120H/C4D20120H不需要很高的散热需求,多器件并联使用也不会产生热逸散。
图2 C4D10120H/C4D20120H引脚图
C4D10120H/C4D20120H可承受1.3kV的反向浪涌电压,C4D10120H重复峰值正向浪涌电流最大值可达46A(TC=25℃,tP=10ms,半波),C4D20120H可承受86A。C4D10120H非重复正向浪涌电流最大值为67A(TC=25℃,tP=10ms,半波),C4D20120H可承受130A。C4D10120H的功率耗散值为153W(TC=25℃),C4D20120H功率耗散为246W。
C4D10120H的正向压降典型值为1.5V,最大值为1.8V(IF=10A,TJ=25℃)。C4D20120H的正向压降典型值为1.5V,最大值为1.8V(IF=20A,TJ=25℃)。在VR=1200V,TJ=25℃时,C4D10120H的反向电流最大值为250μA,C4D20120H为200μA。C4D10120H/C4D20120H皆采用TO-247-2封装,无卤素添加,符合RoHS标准。
C4D10120H/C4D20120H碳化硅肖特基二极管特性
• 1.2kV肖特基整流器
• 零反向恢复电流
• 支持高频操作
• 具有独立温度开关特性
• 极快速切换时间
• 正温度系数VF
C4D10120H/C4D20120H碳化硅肖特基二极管优势
•单极整流器替换双极整流器
•基本没有切换损耗
•能效高,不需要很高的散热需求
•多器件并联使用不会产生热逸散
C4D10120H/C4D20120H碳化硅肖特基二极管应用
•大功率开关电源
•PFC
•DC/DC
•AC/DC
•逆变器
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由风九提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V/40A八款SiC肖特基二极管,适用于Boost PFC电路拓扑、PV电源调节器
ROHM(罗姆)公司推出了八款性能相似的650V SiC肖特基二极管,采用TO-247封装形式,符合RoHS标准。其反向重复峰值电压都为650V,都适用于要求高电压场所;其正向持续电流IF最大可达40A(SCS240AE2,SCS240AE2HR);这些二极管都具有较强的抗击浪涌能力,其正向浪涌电流峰值最大可达135A(SCS240AE2,SCS240AE2HR)。
新产品 发布时间 : 2018-12-23
【产品】1200V的碳化硅肖特基二极管P3D12010G2,工作结温高达175℃
P3D12010G2是派恩杰推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),具有高频操作、零反向恢复电流等特性,有利于提高系统效率,减少散热需求,并且基本上没有开关损耗,并联使用时也不会出现热失控。反向重复峰值电压为1200V,正向非重复浪涌电流为106A。
新产品 发布时间 : 2022-04-13
【产品】1200 V碳化硅肖特基二极管,反向恢复电流可忽略不计
Littelfuse的LSIC2SD120A08 SiC肖特基二极管的额定电流为8A,具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。可用于配备PFC,DC/DC级二极管,开关式电源,不间断电源,太阳能逆变器,工业电机驱动器,EV充电站等领域。
新产品 发布时间 : 2018-01-04
HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品,电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
原厂动态 发布时间 : 2023-08-07
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析:光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)在现代电子设备中扮演着重要角色,尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用,包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。
应用方案 发布时间 : 2024-07-23
HI-SEMICON(深鸿盛)碳化硅肖特基二极管选型表
目录- 碳化硅肖特基二极管
型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D
【产品】20A/1200V SiC肖特基二极管NF20120,耐175℃结温,可用于续流二极管和逆变器
南方半导体推出的SiC肖特基二极管NF20120,具有VF正温度系数和高频应用等特性;最大直流阻断电压和可重复最高反向电压值均为1200V,工作结温度范围为-55~+175℃;可用于续流二极管和逆变器等方面。
产品 发布时间 : 2022-04-28
时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T,光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中,选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢?本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势,帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
产品 发布时间 : 2024-07-12
维安推出应用于光伏微型逆变器的全系列功率器件和完整的系统级解决方案
针对光伏市场应用,维安产品组合包括全系列的功率器件,具体包括高压SJ-MOSFET、中压SGT MOSFET和IGBT模组和第三代半导体碳化硅肖特基二极管SiC SBD,此外,维安还可以提供AC/DC、DC/DC、LDO、保护器件等产品来实现完整的系统级方案。
器件选型 发布时间 : 2023-11-16
【选型】5G通信电源中PFC升压电路中续流二极管推荐SiC肖特基二极管SCS208AGC,耐压达650V
为实现5G通信电源PFC升压电路实现高效电源转换,一般需要SiC肖特基二极管用于续流二极管选型设计,推荐选择ROHM(罗姆)SiC肖特基二极管SCS208AGC,采用TO-220AC封装,最大反向工作电压达650V,连续正向电流8A,典型正向导通压降VF低至1.35V(IF=8A,Tj=25℃),典型13nc低总电容电荷Qc,典型13ns开关时间工作温度范围-40℃~150℃。
器件选型 发布时间 : 2020-05-31
碳化硅肖特基二极管在PFC电路中的应用和影响
碳化硅二极管稳态和暂态特性对PFC的影响是什么呢?在反向恢复电流会出现什么状态呢?本文带着问题去介绍碳化硅肖特基二极管在PFC电路中的应用。
技术探讨 发布时间 : 2024-02-02
【产品】直流阻断电压高达1200V的碳化硅肖特基二极管,超快速开关,100%UIS测试
派恩杰推出的SiC SBD P3D12020K3碳化硅肖特基二极管,在TC=25℃条件下,重复峰值反向电压高达1200V,直流阻断电压1200V,产品具有零反向恢复电流,超快速开关,可高频操作等特点,能提高系统效率,并减少散热器需求,基本上没有开关损耗。
产品 发布时间 : 2022-08-20
【应用】碳化硅肖特基二极管G5S12020PM极大降低充电桩电源模块开关损耗,正向不重复峰值电流IFSM高达240A
某客户在开发一款40kW的直流充电桩电源模块,海外市场高端机型,平台类产品。PFC整流电路部分需求一款SIC肖特基二极管。本文推荐泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12020PM用于充电桩电源模块,正向不重复峰值电流IFSM高达240A。
应用方案 发布时间 : 2023-05-19
时科携新品SIC肖特基二极管及快充GaN新品方案亮相2022亚洲充电展(ACE),助力快充芯体验
时科携带了全系列快充方案亮相2022亚洲充电展(ACE),为广大观众呈现了一场安全、低功耗、高性能的盛宴。時科的新品SIC肖特基二极管和快充GaN新品均可广泛运用在通信电源,大功率适配器/充电器等应用领域。
原厂动态 发布时间 : 2022-08-20
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论