【产品】1.2kV碳化硅肖特基二极管C4D10120H,C4D20120H，无切换损耗，非常适合大功率开关电源设计

时间： 2018-10-12 来源：WOLFSPEED

WOLFSPEED成立于1987年，在电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。在产品技术上，CREE一直以“SiC技术”见长，世界上超过90%的SiC晶片都由它制造，是当之无愧的半导体行业巨头。

C4D10120H/C4D20120H是Wolfspeed推出的碳化硅肖特基二极管。C4D10120H/C4D20120H具有高达1.2kV的反向重复峰值电压。在T_C=135℃时，C4D10120H的正向电流高达15A，C4D20120H正向电流高达26A，二者皆具有非常强的负载能力。C4D10120H/C4D20120H采用Z-Rec®技术，具有0反向恢复电流的特点。它们还具有高频特性、极速切换、具有独立温度开关和正温度系数等特性，非常适合在大功率开关电源、PFC或DC/DC、AC/DC及逆变器等应用中使用。

图1 C4D10120H/C4D20120H实物图

C4D10120H/C4D20120H利用单极整流器替换双极整流器，基本没有切换损耗，能效高。得益于它们独特的材料，C4D10120H/C4D20120H不需要很高的散热需求，多器件并联使用也不会产生热逸散。

图2 C4D10120H/C4D20120H引脚图

C4D10120H/C4D20120H可承受1.3kV的反向浪涌电压，C4D10120H重复峰值正向浪涌电流最大值可达46A（T_C=25℃,t_P=10ms,半波），C4D20120H可承受86A。C4D10120H非重复正向浪涌电流最大值为67A（T_C=25℃,t_P=10ms,半波），C4D20120H可承受130A。C4D10120H的功率耗散值为153W（T_C=25℃），C4D20120H功率耗散为246W。

C4D10120H的正向压降典型值为1.5V，最大值为1.8V（I_F=10A，T_J=25℃）。C4D20120H的正向压降典型值为1.5V，最大值为1.8V（I_F=20A，T_J=25℃）。在V_R=1200V，T_J=25℃时，C4D10120H的反向电流最大值为250μA，C4D20120H为200μA。C4D10120H/C4D20120H皆采用TO-247-2封装，无卤素添加，符合RoHS标准。

C4D10120H/C4D20120H碳化硅肖特基二极管特性

• 1.2kV肖特基整流器

• 零反向恢复电流

• 支持高频操作

• 具有独立温度开关特性

• 极快速切换时间

• 正温度系数VF

C4D10120H/C4D20120H碳化硅肖特基二极管优势

•单极整流器替换双极整流器

•基本没有切换损耗

•能效高，不需要很高的散热需求

•多器件并联使用不会产生热逸散

C4D10120H/C4D20120H碳化硅肖特基二极管应用

•大功率开关电源

•PFC

•DC/DC

•AC/DC

•逆变器

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小蓉 Lv7. 资深专家 2018-10-12

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