【产品】650V 超结功率MOSFET TPA65R100MFD，漏源电压高达650V（VGS=0V）
超结功率MOSFET是一种基于SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。Multi-EPI SJ MOSFET提供了非常快速且耐用的体二极管。还提供了一种极低损耗开关、高可靠的通信和传导器件，使其在工业级应用中更可靠，更高效，更轻，发热更少。
TPA65R100MFD是无锡紫光微电子推出的一款超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，漏源电压高达650V（VGS=0V），漏源导通电阻最大仅为0.1Ω（VGS=10V,ID=24A），漏极连续电流在25℃情况下为47A，在100℃时可达28.2A，漏极脉冲电流可达141A。耗散功率为37W，工作结温和存储温度范围为-55~+150℃。结到外壳的热阻为3.37℃/W，结到外界环境的热阻为80℃/W。
主要特性：
①超快体二极管
②非常低的FOM品质因数（品质因数FOM为导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的乘积）
③易于使用/驱动
④经过100%雪崩测试
⑤符合RoHS标准
应用：
①开关电源（SMPS）
②不间断电源（UPS）
③功率因数校正（PFC）
④LLC半桥
⑤充电器
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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授权代理品牌：接插件及结构件
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