【产品】650V 超结功率MOSFET TPA65R100MFD，漏源电压高达650V（VGS=0V）

时间： 2020-10-06 来源：无锡紫光微

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超结功率MOSFET是一种基于SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。Multi-EPI SJ MOSFET提供了非常快速且耐用的体二极管。还提供了一种极低损耗开关、高可靠的通信和传导器件，使其在工业级应用中更可靠，更高效，更轻，发热更少。

TPA65R100MFD是无锡紫光微电子推出的一款超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，漏源电压高达650V（V_GS=0V），漏源导通电阻最大仅为0.1Ω（V_GS=10V,I_D=24A），漏极连续电流在25℃情况下为47A，在100℃时可达28.2A，漏极脉冲电流可达141A。耗散功率为37W，工作结温和存储温度范围为-55~+150℃。结到外壳的热阻为3.37℃/W，结到外界环境的热阻为80℃/W。

主要特性：

①超快体二极管

②非常低的FOM品质因数（品质因数FOM为导通电阻R_DS(on)和栅极电荷Q_g的乘积）

③易于使用/驱动

④经过100%雪崩测试

⑤符合RoHS标准

应用：

①开关电源（SMPS）
②不间断电源（UPS）
③功率因数校正（PFC）

④LLC半桥

⑤充电器

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全部评论（1）

ACE Lv8. 研究员 2020-10-07

学习了

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产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

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