【产品】650V 超结功率MOSFET TPA65R100MFD，漏源电压高达650V（VGS=0V）
超结功率MOSFET是一种基于SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。Multi-EPI SJ MOSFET提供了非常快速且耐用的体二极管。还提供了一种极低损耗开关、高可靠的通信和传导器件，使其在工业级应用中更可靠，更高效，更轻，发热更少。
TPA65R100MFD是无锡紫光微电子推出的一款超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，漏源电压高达650V（VGS=0V），漏源导通电阻最大仅为0.1Ω（VGS=10V,ID=24A），漏极连续电流在25℃情况下为47A，在100℃时可达28.2A，漏极脉冲电流可达141A。耗散功率为37W，工作结温和存储温度范围为-55~+150℃。结到外壳的热阻为3.37℃/W，结到外界环境的热阻为80℃/W。
主要特性：
①超快体二极管
②非常低的FOM品质因数（品质因数FOM为导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的乘积）
③易于使用/驱动
④经过100%雪崩测试
⑤符合RoHS标准
应用：
①开关电源（SMPS）
②不间断电源（UPS）
③功率因数校正（PFC）
④LLC半桥
⑤充电器
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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2.5
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TPA90R350A,TPB90R350A,TPP90R350A,TPW90R350A 900V Super-junction Power MOSFET
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