【应用】铂电阻元件RTD,阻值变化率为0.3-0.5%/℃,可用于半导体设备的温度监测
![铂电阻元件RTD,温度传感器,TE Connectivity](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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半导体设备的高精度需求,也需要其内部各个组成部分都具有高性能的水平,这其中就包括了压力传感器以及温度传感器等,都需要具备高精确度、高可靠性、高稳定性等特点。本文介绍温度监测传感器的应用。
半导体对温度非常敏感,因此在整个制备过程中都需要对温度进行准确测量,包括从晶圆制备到化学气相沉积等都需要稳定控制晶圆的温度,掌握晶圆温度的分布,更好的进行冷注入控制等。
因此高精度、高可靠性、高量程的温度传感器对于半导体设备来说至关重要。TE可提供包括RTD、NTC、热电堆、热电偶、数字温度传感器等多种类型的温度传感器,根据不同应用选择合适原理的传感器。
TE铂电阻元件RTD
目前在半导体工艺流程中,测量温度使用比较多的技术是铂电阻温度传感器。TE的铂电阻元件RTD采用稳定可靠的铂元素制造,RTD利用了电阻随传感器温度升高而增大的原理,精密度更高,并且更耐腐蚀,具有更好的长期稳定性,抗干扰能力也强。RTD的可用温度范围比NTC热敏电阻更广,但温度系数低得多,阻值变化率为0.3-0.5%/℃,因此需要更精密的测量电路。
TE的RTD可应用于半导体工艺流程中晶圆测量的温度探针,支持定制化探头,方便客户根据自身设备进行调整。可实现多个温度检查点同时测量,从而实现同步功能,确保测量的及时准确。
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