【元件】 瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
2023年6月21日,瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
TO263-7是一种塑封贴片封装,对比传统插件封装的体积更小,贴片焊接更简便。而且有5根引脚并联作源极(S),封装阻抗更低,在大电流条件下,导通损耗更低。同时采用开尔文源极引脚(Kelvin Source),减小主回路对驱动信号的影响,并用背面的散热板当作漏极(D),总体封装电感更低,从而减小了主回路的振荡,降低EMI噪声,更利于发挥碳化硅(SiC)MOSFET高速开关的优势。
因此TO263-7封装器件很适合系统尺寸紧凑,又需要实现高功率、高效率变换的应用场景,比如车载DC-DC、车载空压机电控、光伏逆变器、电机驱动、UPS电源、开关电源等。贴片封装更合适自动化生产,降低生产成本。
为满足市场日益增长的贴片封装器件需求,瞻芯电子还推出了一系列TO263-7封装SiC MOSFET产品,具体有650V,1200V,1700V电压平台,导通电阻覆盖25mΩ-1000mΩ,如下表:
以上大部分产品采用车规级标准设计和封装,其中1200V 160mΩ碳化硅(SiC)MOSFET通过完整车规级可靠性认证(AEC-Q101),验证了车规级TO263-7封装的可靠性。
产品特性
· 具有开尔文源极驱动管脚(Kelvin-Source)
· 低阻抗封装
· 低导通电阻,低损耗
· 可高速开关,且寄生电容小
· 工作结温可高达175℃
· 快速恢复体二极管
应用范围
· 光伏逆变器
· 车载充电器
· 高压DC/DC变换器
· 车载空压机逆变器
· UPS电源
· 开关电源
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本文由犀牛先生转载自瞻芯电子公众号,原文标题为:瞻芯电子TO263-7封装SiC MOSFET量产,助力高密高效功率变换,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:汽车级&工业级,VDS(V):650V~1700V,RDS(ON) :15mΩ~10000mΩ。
产品型号
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品类
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Qualification
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VDS(V)
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RDS(ON) (mΩ)
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ID(TC=25°C)(A)
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VTH( TJ =25°C)(V)
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VTH( TJ =175°C)(V)
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Qg(nC)
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Operating Junction Temperature(°C)
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12080T4
IV1Q12050T4–1200V 50mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T4型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点,适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12050T4
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型号- IV2Q12017BD
IV1Q12750O3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)产品IV1Q12750O3。该产品具有高阻断电压、高速切换、低电容和高结温操作能力等特点,适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750O3
IV2Q12017T4–1200V 17mΩSiC MOSFET
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型号- IV2Q12017T4
IV2Q12017BA – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。芯片具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点,适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017BA
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级 SiC MOSFET
描述- 该资料介绍了IV1Q12080T4Z型号的1200V 80mΩ车规级SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点,适用于车载充电器、车载压缩机逆变器、车载DC/DC变换器、光伏逆变器和开关电源等领域。
型号- IV1Q12080T4Z
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描述- 本文档介绍了InventChip公司生产的IV1Q12017BAG型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点,适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV1Q12017BAG
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描述- 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12050T3
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