【元件】 瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
2023年6月21日,瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
TO263-7是一种塑封贴片封装,对比传统插件封装的体积更小,贴片焊接更简便。而且有5根引脚并联作源极(S),封装阻抗更低,在大电流条件下,导通损耗更低。同时采用开尔文源极引脚(Kelvin Source),减小主回路对驱动信号的影响,并用背面的散热板当作漏极(D),总体封装电感更低,从而减小了主回路的振荡,降低EMI噪声,更利于发挥碳化硅(SiC)MOSFET高速开关的优势。
因此TO263-7封装器件很适合系统尺寸紧凑,又需要实现高功率、高效率变换的应用场景,比如车载DC-DC、车载空压机电控、光伏逆变器、电机驱动、UPS电源、开关电源等。贴片封装更合适自动化生产,降低生产成本。
为满足市场日益增长的贴片封装器件需求,瞻芯电子还推出了一系列TO263-7封装SiC MOSFET产品,具体有650V,1200V,1700V电压平台,导通电阻覆盖25mΩ-1000mΩ,如下表:
以上大部分产品采用车规级标准设计和封装,其中1200V 160mΩ碳化硅(SiC)MOSFET通过完整车规级可靠性认证(AEC-Q101),验证了车规级TO263-7封装的可靠性。
产品特性
· 具有开尔文源极驱动管脚(Kelvin-Source)
· 低阻抗封装
· 低导通电阻,低损耗
· 可高速开关,且寄生电容小
· 工作结温可高达175℃
· 快速恢复体二极管
应用范围
· 光伏逆变器
· 车载充电器
· 高压DC/DC变换器
· 车载空压机逆变器
· UPS电源
· 开关电源
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自瞻芯电子公众号,原文标题为:瞻芯电子TO263-7封装SiC MOSFET量产,助力高密高效功率变换,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4,TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4,漏源电压1200V,采用TO247-4封装,该产品存储温度范围为-55℃~175℃,工作结温范围为-55℃~175℃,适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
新产品 发布时间 : 2020-10-21
瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品,比TO263-7封装体积小60%
近日,瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅MOSFET产品,已完成工规级可靠性认证。这两款产品采用TOLL封装,能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求,帮助高性能电源提高能效和功率密度,并改善电磁干扰,简化PCB设计。
新产品 发布时间 : 2023-03-08
【产品】1200V/50mΩ的国产碳化硅MOSFET IV1Q12050T4,采用开尔文连接驱动
瞻芯电子推出的IV1Q12050T4是一款TO247-4封装的1200V、50mΩ碳化硅MOSFET,采用开尔文连接驱动,带快速恢复体二极管。工作结温最高达175℃,典型结到外壳的热阻0.436℃/W,还具有高速、寄生电容小的特点。
新产品 发布时间 : 2021-01-03
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:汽车级&工业级,VDS(V):650V~1700V,RDS(ON) :15mΩ~10000mΩ。
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS(V)
|
RDS(ON) (mΩ)
|
ID(TC=25°C)(A)
|
VTH( TJ =25°C)(V)
|
VTH( TJ =175°C)(V)
|
Qg(nC)
|
Operating Junction Temperature(°C)
|
Package
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
产品 发布时间 : 2024-10-09
【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET,高频开关、低损耗,助力高效高密电源设计
为了满足高密度的功率变换的需求,瞻芯电子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(SiC)MOSFET产品,具有低损耗、散热性强等特点,让系统设计更紧凑、更高效,组装时能自动化生产。
产品 发布时间 : 2024-11-26
【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品,具备业界较低的损耗水平
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片,具备业界较低的损耗水平,且驱动电压为15V~18V,兼容性更好。
产品 发布时间 : 2024-03-13
【应用】使用TO-247封装SiC MOSFET的光伏升压变换器解决方案,效率达到99.4%
SiC二极管在光伏升压变换器设计中已得到了广泛的应用,SiC MOSFET在许多高性能逆变器的开发中也开始得到应用。本文介绍了使用TO-247封装SiC MOSFET和瞻芯电子IV1E系列SiC模组的150kW逆变器解决方案。
应用方案 发布时间 : 2021-05-03
【元件】瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET,TO263-7封装助力高效高密应用
瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证,该产品采用TO263-7贴片封装,具有体积较小,安装简便,损耗更低的特点。
产品 发布时间 : 2024-01-17
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论