【经验】如何选择基于隔离驱动器Si8751设计中的MOS管和米勒电容
在电源设计中采用SILICON LABS隔离驱动器SI8751加MOS FET替代固态继电器,Si8751还提供弥勒钳位引脚用来抑制MOS管在开通关断时,由于dv/dt造成门极电压的抬升超过门极电压耐压值而损坏。基于之前探讨过关于TT串接电阻到GND影响开通速度,现在主要探讨MOS管的选取及米勒电容的选取原则。
图1所示为Si8751的引脚示意图,其中VDD-GND的供电电源为2.25V-5.5V,典型值为3.3V。作为Gate引脚直接输出是接MOS管的门极,米勒钳位引脚MCAP1和MCAP2则是可以供选择的使用端口,Si8751芯片提供一个钳位引脚,用于防止MOS FET漏极上出现高dV/dt时外部MOS管意外导通,造成控制错误。要使用此功能,需要在MOS管的漏极和其中一个MCAPx输入之间连接一个电容。该引脚上的突发正斜率将导致Si875x内的钳位器件激活,并在栅极和源极引脚之间提供低阻抗路径,可以避免MOS管无意中打开。
图1 SI8751引脚
用于将外部FET的漏极连接到Si875x器件的电容的推荐值通常为10pf。如果应用的dV/dt非常大,并且钳位电路没有充分保持外部FET关断,则该电容值可以增加到100pf。电容的电压额定值应大于或等于FET漏极预期的峰值电压。
另外在MOS管的选取时MOS管的门极电容不能太大,否则会影响开通关断速率通过图2曲线图可以看出,门极电容的选取直接会影响开通关断速度,建议选择门极的电容不超过1000Pf即1nF,具体的取值可以根基实际测试情况进行微调。在设计时,注意这些设计的选择,可以方便用SI8751进行MOS管的驱动,实现好的控制,避免走设计的弯路。
图2 Si8751导通时间与电容和TT(50%输出)
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