【产品】1.0×0.6mm超低VF小型肖特基势垒二极管RBE，实现大电流化20V/0.5A
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。 此次，产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些产品，将非常有助于便携设备节省空间。
近年来，智能手机等便携设备的多功能化日益加速，对电池的长时间驱动需求强劲。降低耗电量成为首要课题，电源电路日趋向低电压、大电流化方向发展。为此，电源电路中采用的肖特基势垒二极管需要低VF且平均整流电流较高的产品。但是，为了降低VF并且实现大电流化，需要增加芯片尺寸，因此很难满足对"小型"的需求。
此次罗姆通过优化二极管的元件结构，大幅改善了电流效率。与以往的相同封装产品相比，VF降低了约32%，实现了业界顶级的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向电流所产生的发热，相同封装也可确保大电流。另外，由于确保了大电流，可以实现比以往封装产品更加小型封装的设计(在相同额定电流下相比)，最大安装面积消减了约80%。罗姆今后会不断追求更加小型、低VF、大电流化，不断完善满足客户需求的产品阵容。
超低VF小型肖特基势垒二极管RBE系列特点：
小型封装，确保大电流
业界顶级的低VF，以小型封装可确保大电流。
2.最大可节约80%的空间
确保大电流，可实现相同尺寸更加小型封装的设计
智能手机电路例
超低VF小型肖特基势垒二极管RBE系列规格：
型号：RBE2EA20A,RBE2VA20A,RBE1VA20A,RBE05AS20A,RBE05AM20A,RBE05VM20A,RBE07V20A,RBE1KA20A
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