【产品】阻断电压为1200V的碳化硅N沟道增强型功率MOSFET C3M0032120K
WOLFSPEED推出的基于第三代平面MOSFET技术的碳化硅N沟道增强型功率MOSFET C3M0032120K包括坚固的本征二极管，可实现第三象限操作，而无需额外的外部二极管。阻断电压为1200V。与传统的3引线TO-247封装相比，在TO-247-4封装中使用单独的Kelvin源引脚可以通过减少多达30％的开关损耗来进一步提高效率。C3M0032120K可以用于任何电源应用，包括无桥PFC，逆变器和充电器。
特点：
①在整个工作温度范围[-40°C – 175℃]中，最低1200V VBR
②+15V栅极驱动电压
③带开尔文电源引脚的低阻抗封装
④漏极与源极之间的爬电距离/间隙> 8mm
⑤低输出电容的高速开关
⑥具有低反向恢复（QRR）的快速本征二极管
⑦易于并行且易于驱动
应用：
①太阳能和储能系统
②电动汽车充电
③不间断电源（UPS）
④电机控制与驱动
⑤开关电源（SMPS）
产品样图：
参数：
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