【产品】全新S波段氮化镓(GaN)芯片组,可用于军事和商用雷达系统
UMS(United Monolithic Semiconductors)推出了先进的,适用于S波段的芯片组。该芯片组由2个产品组成:一个60W的高功率放大器(CHZ9012-QFA)和一个12W的驱动器(CHZ8012-QJA)。
图1 CHZ8012-QJA高功率放大器实物封装图
CHZ8012-QJA是一款高功率S波段准单片功率放大器,基于公司内部生产的氮化镓(GaN)电源和砷化镓(GaAs)输入输出匹配电路。该产品也可用作CHZ9012-QFA的驱动器。
该产品完全匹配50Ω。输出功率为12W,功率转换效率(PAE)大于52%,应用范围广,可用于军事和商用雷达系统。
CHZ8012-QJA采用低成本、寄生电容和热阻干扰较小的DFN塑料封装:
l 热阻:4.2°C/W
l 峰值结温:135°C
条件为:Tcase= 95°C,Pin=29dBm,脉冲模式 (400µs/15%)
产品特性
l 频率范围:2.6-3.4GHz
l 热阻:4.2°C/W
l 输出功率:12W
l 功率转换效率(PAE):52%
l 直流偏置:Vd最大为30V
l DFN封装;28引脚,7*7mm2
l 脉冲工作模式
图2 CHZ8012-QJA高功率放大器特性曲线图
图3 CHZ9012-QFA高功率放大器实物封装图
CHZ9012-QFA是一款高功率S波段准单片功率放大器,基于公司内部生产的氮化镓(GaN)电源和砷化镓(GaAs)输入输出匹配电路。该产品与CHZ8012-QJA(作为驱动器)可同时使用。
该产品完全匹配50Ω。输出功率为12W,功率转换效率(PAE)大于52%,应用范围广,可用于军事和商用雷达系统。
CHZ9012-QFA采用低成本、寄生电容和热阻干扰较小的DFN塑料封装:
l 热阻:0.86°C/W
l 峰值结温:138°C
条件为:在Tcase = 95°C,Pin=39dBm,脉冲模式 (400µs/15%)
产品特性
l 频率范围:2.7-3.4GHz
l 热阻:0.86°C/W
l 输出功率:60W
l 功率转换效率(PAE):50%
l 直流偏置:Vd最大为30V
l DFN封装;30引脚,8*8mm2
l 脉冲工作模式
图4 CHZ9012-QFA高功率放大器特性曲线图
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产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
|
选型表 - UMS 立即选型
Application Brochure for INDUSTRIAL
型号- BD52W04G-C,SH8KXX SERIES,BD900N1W,QH8KXX SERIES,BM2SCQ123T-LBZ,R6007RND3,BD900N1G-C,BD2311NVX-C,RBR2VWM60A,BD9XXN1 SERIES,BD933N1,RFS SERIES,RBR1VWM40A,BM2SC12XFP2-LBZ,CSL1901,BP3622,BD14210G-LA,BP3621,SCT4013DW7,BM2P06XMF-LBZ,R6035VNX3,RB068VWM150,R60XXRNX SERIES,CSL1901DW,BD950N1WG-C,BM2P060LF-Z,BM2LE160FJ-C,BV1LE080EFJ-C,BM2SC123FP2-LBZ,SH8MC5,SCT4018KW7,RB168VWM-40,RFL SERIES,SCT4018KE,BD52W03G-C,SCT4026DE,BM2SCQ121T-LBZ,LTR10 SERIES,RB168VWM-60,BD48W00G-C,RBR1VWM30A,SH8MB5,SCT4018KR,SCT4026DR,R6035VNX,BM2P061MF-Z,BM6437X,CSL1901UW,BM64378S-VA,BD900N1EFJ-C,D950N1EFJ-C,SCT4013DE,BM2P063MF-Z,R6024VNX3,SCT4013DR,BD7XXL05G-C,R60XXVNX SERIES,BD950N1,RB068VWM100,RFL,SH8KXX,CSL1901VW,RFS,BD14215FVJ-LA,BM6437X SERIES,PSR,RB168VWM-30,SCT4036KW7,R6004RND3,BM2LE040FJ-C,RF05VAM2S,BD750L05G-C,BM2SC122FP2-LBZ,BD933N1G-C,BD900N1,BM2P061LF-Z,BD52W02G-C,BM64377S-VA,BD933N1EFJ-C,QH8MB5,REFLD002,R60XXRNX,RBLQ2VWM10,PSR500,SCT4026DW7,BV1LE040EFJ-C,RFS30TZ6S,BD900N1WG-C,CSL1901 SERIES,QH8MC5,CSL1901YW,BV1LEXXXEFJ-C,RFL60TZ6S,R6013VND3,PSR SERIES,R6009RND3,R6077VNZ,BM2SCQ122T-LBZ,RFL60TS6D,S WAVE B-01,PSR400,BD933N1WG-C,BD52W01G-C,RB068VWM-60,R WAVE B-01,REFPDT007-EVK-001B,REFPDT007-EVK-001A,REFPDT007-EVK-001C,RFS30TS6D,LTR10,BD950N1WEFJ-C,BM2SC124FP2-LBZ,QH8MX5 SERIES,QH8KB5,R6013VNX,QH8KB6,RBR2VWM30A,BM2LE250FJ-C,BD2311NVX-LB,RGWXX65C SERIES,RGW00TS65CHR,SH8MX5 SERIES,SCT4045DW7,BV1LE250EFJ-C,SCT4036KE,QH8MX5,SCT4045DE,R6024VNX,BM2SCQ124T-LBZ,R6055VNX,R6018VNX,R6055VNZ,SCT4045DR,RGW80TS65CHR,QH8KC6,CSL1901MW,QH8KC5,R60A4VNZ4,RB168VWM150,BD7XXL05G-C SERIES,BD52W06G-C,SCT4062KR,BD48HW0G-C,RBR2VWM40A,BD1421X-LA SERIES,BD9XXN1,R6077VNZ4,BM1390GLV-Z,RGWXX65C,RBR1VWM60A,REFLD002-1,QH8KXX,REFLD002-2,R6055VNX3,BD52W05G-C,BM2P06XMF-LBZ SERIES,SCT4036KR,RFL30TS6D,BD900N1WEFJ-C,BM2LEXXXFJ-C,RFS60TS6D,BD733L05G-C,BD933N1WEFJ-C,SCT4062KE,BM2SC12XFP2-LBZ SERIES,BM64374S-VA,GNE1040TB,BD950N1W,BD725L05G-C,BD933N1W,BD730L05G-C,BM2SC121FP2-LBZ,PSR350,SH8KC6,BM64375S-VA,SH8KC7,BM2LE080FJ-C,SH8MX5,SCT4062KW7,R60XXVNX,PSR100,BV1LEXXXEFJ-C SERIES,RB168VWM100,BD950N1G-C,RGW60TS65CHR,R6055VNZ4,BM2P060MF-Z,RLD90QZWJ,RFS60TZ6S,RLD90QZWD,RLD90QZWC,SH8KB7,RLD90QZWB,SH8KB6,RB068VWM-40,RLD90QZWA,RB068VWM-30,BV1LE160EFJ-C,RLD90QZW8,RFL30TZ6S,BM2LEXXXFJ-C SERIES,RLD90QZW5,BD1421X-LA,PSR330,RLD90QZW3
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CHA8612-QDB 18W X-Band High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in SMD leadless package
型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20
高频天线pcb板板材怎么选择呢?
高频天线板材料主要应用在高功率放大器、基站天线、全球定位系统、气象雷达和气象卫星、以及汽车雷达与传感器等。下面鑫成尔电子详细介绍高频天线pcb板板材怎么选择。
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High performance MMICs in L, S, C, X,Ku, Ka and Q Bands
型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8252-99F,CHT4660-QAG,CHA8254-99F,CHR3693-QDG,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4253A98F,CHA4253-QQG,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHW4212-QKA,CHA8012-99F,CHA2595-QDG,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA4107-QDG,CHA8362-99F,CHA5005-QDG,CHA3666-99F,CHW4313-QAG,CHA8312-99F,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7453-99F,CHA6354-QQA,CHA6653-98F,CHT3091-FAB,CHA3395-98F/QDG,CHA2352-98F,CHW4312-QKA,CHA4253-FAB,CHA8352-99F,CHW4213-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA6282-QCB,CHA7455-99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA2368-98F,CHA8612-QDB,CHA3666-FAB,CHA6357-QKB,CHA6550-QXG
CHA7455-99F 9W 39-43.5GHz High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC
型号- CHA7455-99F,CHA7455-99F/00
【选型】L至Ka波段HPA最全选型的高功率放大器,频率覆盖2-40GHz
UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,本文介绍了UMS的功率放大器,工作频率覆盖2-40GHz,饱和输出功率高达42.5dBm,该系列高功放的增益最高可达28dB,OIP3最大为45dBm、P-1dB最大为37.5dBm,这些都使它成为一款性能优异的高功率放大器。可广泛应用到高功率的射频系统中,例如无线通信基站,无线路由器,尤其适用于雷达系统中的信号源。
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CHA8362-99F 27.5-31GHz 25W High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in Bare Die Form
型号- CHA8362-99F/00,CHA8362-99F
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CHA5659-98F是UMS推出的一款四级砷化镓单片驱动高功率放大器,输出功率为1.3W。该产品具有高线性的特点,可以进行增益控制并集成了功率检测器,具备ESD防护功能。CHA5659-98F采用0.15μm GaAs pHEMT工艺生产制造,是一款应用于点对点无线电或者K波段卫星通信的放大器,建议使用CHA3398-98F作为该产品的驱动芯片。
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Take advantage of high power & frequencies With PPH15X-20 pHEMT process at attractive price
型号- CHA6552-QXG,PPH15X-20,CHA6553-QXG,CHA6550-QXG,CHA6194-QXG
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最小起订量: 10000 提交需求>
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