Si8273、Si8274和Si8275隔离式栅极驱动器的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路设计

时间： 2019-03-10 来源：Silicon Labs

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Si827x是SILICON LABS（芯科科技）推出的具有高瞬态抗扰性的隔离式栅极驱动器，具有良好共模瞬变抗扰度（200kV/μs）和闩锁抑制能力（400kV/μs），非常适用于具有快速开关和潜在噪声的电源系统。

Si827x在单一封装中为隔离栅极驱动应用提供单驱动器或两个4A隔离驱动器组合，其VDDI电压可低至2.5V，使设计师能够设计出低功耗的低电压电源，提高系统效率，并支持与低功耗的MCU兼容。Si827x具有集成度高、传播延迟时间短、尺寸小和灵活性高的特点，是驱动隔离MOSFET、IGBT、SiC（碳化硅） FET 和GaN（氮化镓） FET的理想选择。本文主要介绍分别应用Si827x中的Si8273、Si8274和Si8275设计的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路。

图1是应用Si827x设计的半桥驱动电路。在左图A所示的电路中，Si8273由VIA和VIB两个数字信号控制；在右图B所示的电路中，Si8274由一个PWM信号控制。

图1 应用Si827x设计的半桥驱动电路

图1中的D1和CB组成一个常规的自举电路，使VOA输出成为Q1的高侧驱动，Q1的最大漏极电压是1500V。自举电路的启动时间取决于所选的电容CB。VOB输出是低侧驱动，VDD2通常等同于VDDB。在实际应用中，VOA输出和VOB输出的连接电路也可以互换，即让VOA输出作为低侧驱动、VOB输出作为高侧驱动。

Si827x输入侧的VDD电压范围要求是2.5～5.5V，输出侧的VDDA和VDDB电源电压（各自的对地电压）则必须在4.2～30V之间。Si827x输入侧和输出侧的旁路电容都有助于降低高频噪声和提高性能，这些电容要尽可能地靠近Si827x布置。

图2是应用Si8275设计的双驱动电路。其中Q1和Q2的漏极电压可以参考相同的地，也可以参考不同的地，Q1和Q2间的电压可高达1500VDC。

图2 应用Si8275设计的双驱动电路

两个驱动器是相互独立的，因此VOA和VOB相对电压的极性可以是相反的，即VOA的电压可以高于或低于VOB的电压，且不会损坏驱动器。在高侧/低侧双驱动应用中，允许选择VOA或VOB作为高侧驱动。当然也可以将两个输出都用作高侧驱动或都用作低侧驱动（即双高侧驱动或双高侧驱动），且不受静态或动态电压极性变化的影响。

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2022/8/3 - ROHM - 选型指南 - Edition 2022 代理服务技术支持现货查询批量订货

Silicon Labs（芯科科技） Si827x隔离栅极驱动器数据手册

型号- SI8271GB-IS,SI8275DAD-IM,SI8273ABD-IM,SI8274GB4D-IM,SI8274AB4D-IS1,SI8271DBD-IS,SI8273GB-IS1R,SI8274GB1-IS1R,SI8275AB-IM,SI8274DB1-IS1R,SI827X,SI8274BB1-IS1,SI8273DB-IS1,SI8275DA-IM,SI8275BBD-IM,SI8275GB-IS1,SI8274AB1-IMR,SI8275BB-IM,SI8273DB-IS1R,SI8273BBD-IS1,SI8275BBD-IS1,SI8274AB1-IS1R,SI8274GB1-IS1,SI8275GBD-IS1R,SI8274AB4D-IM,SI8275GB-IS1R,SI8273GBD-IS1R,SI8271AB-IS,SI8273AB-IS1R,SI8275DBD-IM,SI8274DB1-IS1,SI8275ABD-IM,SI8271BB-ISR,SI8274AB1-IS1,SI8275DB-IM,SI8275BB-IS1,SI8275GBD-IM,SI8271BB-IS,SI8274GB1-IMR,SI8274DB4D-IS1,SI8274BB4D-IS1,SI8273ABD-IS1R,SI8273BBD-IS1R,SI8274AB4D-IS1R,SI8273,SI8271GBD-IS,SI8274,SI8275,SI8274AB4D-IS1,SI8274GB4D-IS1,SI8271ABD-IS,SI8271,SI8272,SI8275AB-IMR,SI8273AB-IS1,SI8273BB-IS1R,SI8273GB-IS1,SI8273DBD-IS1,SI8274GB4D-IS1R,SI8275DBD-IS1,SI8273ABD-IS1,SI8275ABD-IS1,SI8274GB4D-IMR,SI8273GBD-IS1,SI8275GBD-IS1,SI8271DB-ISR,SI8271DB-IS,SI8271GB-ISR,SI8275DB-IS1,SI8275ABD-IMR,SI8275AB-IS1,SI8274BB1-IS1R,SI8273AB-IM,SI8273BB-IS1,SI8274AB4D-IMR,SI8271AB-ISR,SI8275GB-IM,SI8274GB1-IM,SI8274AB1-IM,SI8273ABD-IMR,SI8273DBD-IS1R,SI8271BBD-IS,SI8273AB-IMR

2016年03月03日 - SILICON LABS - 数据手册代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】采用Si8285隔离驱动器实现SiC MOS管可靠驱动和保护

在SiC MOS管出现短路或直通故障时，通过其DS间的电流值会瞬间增大到额定电流的数倍以上，此时如果不能及时关断SiC MOS管的栅极驱动电压，SiC MOS管会由于热量迅速累积而损坏。采用Silicon Labs推出的Si8285集成的Vcesat退饱和保护功能，可以实时监测SiC MOS管的Vds电压，一旦Vds电压进入退饱和状态，会立即软关断SiC MOS管，实现保护功能。

2019-02-26 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

Si826x 5KV LED EMULATOR INPUT, 4.0 A ISOLATED GATE DRIVERS

型号- SI8261AAD-C-IS,SI8261BCC-C-IP,SI8261ABD-C-IS,SI8261BBD-C-IS,SI8261ACC-C-IP,SI8261ACC-C-IS,SI8261BCC-C-IS,SI8261BAD-C-IS,SI8261BAC-C-IP,SI8261BBC-C-IS,SI8261ABC-C-IS,SI8261AAC-C-IP,SI826X,SI8261AAC-C-IS,SI8261BAC-C-IS,SI8261BBC-C-IP,SI8261ACD-C-IS,SI8261ABC-C-IP,SI8261BCD-C-IS

12/17 - SILICON LABS - 数据手册 - Rev. 1.4 代理服务技术支持现货查询批量订货查看更多版本

Si827x-EVB用户指南

型号- SI8271GB-IS,SI8273ABD-IM,SI8274GB4D-IM,SI8274AB4D-IS1,SI8273GB-IS1R,SI8274GB1-IS1R,SI8275AB-IM,SI8274DB1-IS1R,SI827X,SI8274BB1-IS1,SI8273DB-IS1,SI8275GB-IS1,SI8274AB1-IMR,SI8273DB-IS1R,SI8273BBD-IS1,SI8274AB1-IS1R,SI8274GB1-IS1,SI8275GBD-IS1R,SI8274AB4D-IM,SI8275GB-IS1R,SI8273GBD-IS1R,SI8271AB-IS,SI8273AB-IS1R,SI8274DB1-IS1,SI8275ABD-IM,SI8271BB-ISR,SI8274AB1-IS1,SI8271BB-IS,SI8274GB1-IMR,SI8273ABD-IS1R,SI8273BBD-IS1R,SI8274AB4D-IS1R,SI8273,SI8274,SI8275,SI8274GB4D-IS1,SI8271,SI8275AB-IMR,SI8273AB-IS1,SI8273BB-IS1R,SI8273GB-IS1,SI8273DBD-IS1,SI8274GB4D-IS1R,SI8273ABD-IS1,SI8274GB4D-IMR,SI8273GBD-IS1,SI8275GBD-IS1,SI8271DB-ISR,SI8271DB-IS,SI8271GB-ISR,SI8275ABD-IMR,SI8274BB1-IS1R,SI8273AB-IM,SI8273BB-IS1,SI8274AB4D-IMR,SI8271AB-ISR,SI8274GB1-IM,SI8274AB1-IM,SI8273ABD-IMR,SI8273DBD-IS1R,SI8273AB-IMR

2017年11月13日 - SILICON LABS - 用户指南代理服务技术支持现货查询批量订货