【产品】蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS18N20DP,采用TO-252塑封封装,Tj温度范围为-55~150℃
蓝箭电子推出的采用TO-252塑封封装的N沟道场效应管BRCS18N20DP,具有低栅电荷,导通电阻低,快速切换应用的优化的特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换,其VDSS值200V,ID(Tc=25℃)值为18A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃,无卤产品。
特征:
低栅电荷,导通电阻低,快速切换应用的优化,无卤产品。
用途:
用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
极限参数(Ta=25℃)
电性能参数(Ta=25℃)
外形尺寸图:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由提灯破云转载自蓝箭电子,原文标题为:BRCS18N20DP,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB采用DFN 3*3A-8L塑封封装,适用于低压电路
蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB,采用DFN 3*3A-8L塑封封装。其VDS(V)值为20V,在VGS=±12V条件下ID值为12.6A,是一种无卤产品。BRCS080N02ZB适用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。其PD值为100W,IAS值为12.5A,TSTG温度范围为-55~+150°C。
【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA,适用于高效DC/DC转换和功率开关
蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA,具有阻抗低,开关速度快的特征。该器件适用于高效DC/DC转换和功率开关,其VDSS值100V,ID(Tc=25℃)值为50A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃。
【产品】TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A,适用于高功率DC/DC转换和功率开关
蓝箭电子推出的TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A,具有低栅电荷,低反馈电容,开关速度快的特征。该器件适用于高功率DC/DC转换和功率开关,其VDSS值80V。
BRCS035N06SDPQ N 沟道场效应管 DATA SHEET (BRCS035N06SDPQ N-CHANNEL MOSFET DATA SHEET)
描述- 本数据手册详细介绍了BRCS035N06SDPQ型N沟道MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用TO-252塑料封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于汽车和其他低压电路。
型号- BRCS035N06SDPQ
【产品】PDFN5×6封装的无卤N沟道场效应管BRCS060N04SZC,Tj温度范围-55~150℃
蓝箭电子推出的PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N04SZC,具有低电阻可最大地降低导电损耗、低栅极电荷、可实现快速切换,低热阻的特征。VDS值40V,ID值为30A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃,无卤。
BRCS035N04SDPQ N 沟道场效应管 DATA SHEET (BRCS035N04SDPQ N-CHANNEL MOSFET DATA SHEET)
描述- 本资料为BRCS035N04SDPQ数据手册,介绍了该款TO-252塑料封装N沟道场效应管的特性、应用范围和电气参数。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于汽车电路、DC/DC转换器等低压电路。
型号- BRCS035N04SDPQ
【产品】采用PDFN5×6封装的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC,VDS值为100V
蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC,采用PDFN5×6封装。具有低电阻可最大地降低导电损耗,低栅极电荷,可实现快速切换,低热阻的特征。该产品可用于电池管理,联网直流-直流电力系统,负荷开关等。
【产品】蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC,Tj温度范围-55~150℃
蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC,具有低电阻可最大地降低导电损耗,低栅极电荷,可实现快速切换,低热阻的特征。其VDS值80V,ID值为85A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃。
BRCS4266SCQ N 沟道 MOS 场效应管 DATA SHEET (BRCS4266SCQ N-Channel MOSFET DATA SHEET)
描述- 本数据手册详细介绍了BRCS4266SCQ N沟道MOS场效应管的特性、参数和应用。该器件采用SOP-8塑料封装,具有低导通电阻、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC和AC/DC转换器的同步整流以及隔离直流/直流转换器在电信和工业应用中。
型号- BRCS4266SCQ
【产品】30V/150A的N沟道MOS场效应管BRD100N03,采用TO-252塑封封装
蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRD100N03,采用TO-252塑封封装。该产品具有低栅电荷,低反馈电容,开关速度快,是一种无卤产品。其VDSS值为30V,VGSS值为±20V,BRD100N03可用于高功率DC/DC转换和功率开关。
【产品】门电荷低、Crss小、开关速度快的N沟道场效应管BRCS80N06DP,采用TO-252塑封封装
蓝箭电子TO-252塑封封装N沟道场效应管BRCS80N06DP,具有RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快的特征。适用于低压电路,其VDSS值60V,ID(Tc=25℃)值为80A,无卤。
BRCS150N10SDPQ
描述- 本资料介绍了BRCS150N10SDPQ型N沟道场效应管的详细技术数据。该器件采用TO-252塑料封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于汽车电路、DC/DC转换器等低压应用。
型号- BRCS150N10SDPQ
【产品】TO-220FL塑封封装N沟道场效应管BRCS730FL,适用于高效DC/DC转换和功率开关
蓝箭电子TO-220FL塑封封装N沟道场效应管BRCS730FL,具有低栅电荷、低反馈电容、开关速度快的特征,适用于高效DC/DC转换和功率开关,其VDSS值400V,ID(Tc=25℃)值为6A。
【产品】 650V无卤N沟道超结功率场效应管BRD65R380C,开关速度快,用于低压电路
蓝箭电子推出TO-252塑封封装的650V N沟道超结功率场效应管。具有RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快及无卤产品等特征。用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA,具有低栅电荷、导通电阻低的特点
蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA,具有低栅电荷,导通电阻低,快速切换应用的优化等特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。
最小起订量: 1000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论