【产品】SOT-23封装的20V / 2.0A N沟道增强型MOSFET AM2318，可用于便携式设备和电池电源系统
AIT推出的一款N沟道增强型MOSFET AM2318，该产品可靠且坚固，采用了SOT-23封装。其漏源极电压最大额定值为20V，栅源极电压最大额定值为±8V，连续漏极电流最大额定值为2A。AM2318可主要应用于电源管理、便携式设备和电池电源系统等领域。
图1 引脚配置
特征：
• 20V / 2.0A
RDS(ON)=80mΩ(MAX) @VGS = 4.5V
RDS(ON)=90mΩ(MAX) @VGS = 2.5V
•实现极低导通电阻的超高密度单元设计
•可靠且坚固
•采用SOT-23封装
图2 封装尺寸
应用：
•电源管理
•便携式设备和电池电源系统
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有规定）
主要电气特性（TA=25℃，除非另有规定）
订购信息：
AiT创瑞科技为IC设计领导品牌，致力于设计和市场行销高性能的类比与混合信号IC. 在全球消费性电子产品市场提供音频放大及电源管理等解决方案。结合控股集团的高品质电感晶振及保险丝，同时提供客户技术整合支援以利客户迅速执行设计周期。是世界各大厂的重要策略联盟伙伴。
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