【产品】德欧泰克新推-35A/-20V的P沟道功率MOSFET DI035P02PT，微型封装可节省空间

时间： 2022-08-20 来源：Diotec

技术问答

DIOTEC（德欧泰克）新推出型号为DI035P02PT的P沟道功率MOSFET，器件采用QFN3x3V外壳封装，具有导通电阻低，开关速度快，栅极电荷低，微型封装，可节省空间等产品特点。最大额定值参数方面，T_A=25℃时，漏-源电压为-20V（V_GS=0V，短接），持续栅-源电压为±12V，耗散功率为52W（T_C=25℃），允许通过的漏极连续电流为-35A（T_C=25℃& T_C=100℃），漏极峰值电流为-80A；当-V_GS =10V，-I_D =20A时，其漏源导通电阻典型值为3.5mΩ，最大值为3.9mΩ；当-V_GS =4.5V，-I_D =15A时其漏源导通电阻最大值为5.5mΩ；当-V_GS =2.5V，-I_D =10A时其漏源导通电阻最大值为9.8mΩ；工作结温和存储温度范围均为-55℃~+150℃，产品适用于电源管理单元，电池供电设备，负载开关以及商业级、工业级应用等领域。产品封装如下所示：

主要特征

微型封装，可节省空间
低剖面，封装高度低
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定

典型应用

电源管理单元
电池供电设备
负载开关
商业/工业级应用

机械参数

编带和卷盘包装：5000/13”
重量约 0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=3级

最大额定值（T_A=25℃，除非另外特殊标注）

1.详细信息请查阅官方网站或数据手册开头

2.T_A=25℃，除非另有特殊说明

3.测量散热（漏极）区域

4.受封装材料限制

5.脉冲宽度：参考SOA图

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全部评论（2）

WilberTse Lv6. 高级专家 2022-11-02

学习学习！
dylen Lv7. 资深专家 2022-08-24

学习

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