【产品】德欧泰克新推-35A/-20V的P沟道功率MOSFET DI035P02PT，微型封装可节省空间
DIOTEC（德欧泰克）新推出型号为DI035P02PT的P沟道功率MOSFET，器件采用QFN3x3V外壳封装，具有导通电阻低，开关速度快，栅极电荷低，微型封装，可节省空间等产品特点。最大额定值参数方面，TA=25℃时，漏-源电压为-20V（VGS=0V，短接），持续栅-源电压为±12V，耗散功率为52W（TC=25℃），允许通过的漏极连续电流为-35A（TC=25℃& TC=100℃），漏极峰值电流为-80A； 当-VGS =10V，-ID =20A时，其漏源导通电阻典型值为3.5mΩ，最大值为3.9mΩ；当-VGS =4.5V，-ID =15A时其漏源导通电阻最大值为5.5mΩ；当-VGS =2.5V，-ID =10A时其漏源导通电阻最大值为9.8mΩ；工作结温和存储温度范围均为-55℃~+150℃，产品适用于电源管理单元，电池供电设备，负载开关以及商业级、工业级应用等领域。产品封装如下所示：
主要特征
微型封装，可节省空间
低剖面，封装高度低
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定
典型应用
电源管理单元
电池供电设备
负载开关
商业/工业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13”
重量约 0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=3级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
1.详细信息请查阅官方网站或数据手册开头
2.TA=25℃，除非另有特殊说明
3.测量散热（漏极）区域
4.受封装材料限制
5.脉冲宽度：参考SOA图
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