【产品】采用TO-252封装的N沟道MOSFET DG008TG，具有出色的RDS(on)特性
杜因特旗下的DG008TG，作为一款采用先进的SGT技术和设计的N沟道MOSFET，低栅极电荷，具有出色的RDS(on)特性。 DG008TG采用了TO-252的封装形式，可用于多种应用中。
图1 DG008TG的实物图和电路结构示意图
DG008TG的特性：
1) VDS=80V,ID=70A,RDS(ON)<8mΩ@VGS=10V
2）低栅极电荷
3）器件绿色环保
4）采用高单元密度沟槽技术，具有极低的RDS(ON)
5）采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
DG008TG的最大额定值参数（Tc=25℃）：
DG008TG的订购信息：
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