【产品】600V N沟道超结功率MOSFET CWS60R074B，采用出色的雪崩加固技术，具有快速开关能力
超结MOSFET是高电压功率MOSFET的先进技术，是由P&S根据超级结原理设计的。所提供的器件具有快速开关和低导通电阻的优点，使得其十分适合需要更高效率、更紧凑、更轻、高性能适配器等方面的应用。
特性
损耗极低归功于非常低的Rdson*Qg
出色的雪崩加固技术
快速开关能力
100%雪崩测试
超快体二极管
应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
高性能适配器
LED照明电源
订购信息
绝对最大额定值
（Tj=25℃，除非另有说明）
热阻特性
电气特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
动态参数
（Tj=25℃，除非另有说明）
栅极电荷特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
体二极管特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
Notes:
1.受限于最大结温
2.脉冲宽度受限于最大结温
3.IAS=17A，VDD=50V，RG=25Ω，起始结温TJ=25℃
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Lain翻译自武汉芯源，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V/190mΩ的超结功率MOSFET AKS65N1K9DM，具有低FOM性能，无卤且符合RoHS标准
瑶芯微推出型号为AKS65N1K9DM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更好的EMI(电磁干扰)特性，器件漏-源电压最大额定值为650V，持续漏极电流最大额定值高达20A。
【产品】工作温度-55~+125℃的N沟道超结功率MOSFET，采用TO-220等三种封装，符合ROHS标准
武汉芯源的SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P＆S根据超结原理设计而成。 武汉芯源超结功率MOSFET提供快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的、LED照明和高性能适配器等应用。
【产品】超结功率MOSFET AKS65N3K6FAM，EMI特性更优，漏源电压最大额定值为650V
瑶芯微推出型号为AKS65N3K6FAM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI(电磁干扰)特性。
解析图腾柱无桥PFC中碳化硅器件的应用
图腾柱无桥PFC，具有元件数量少、共模噪声低等特点。而SiC器件具备反向恢复性能好、耐高温、开关速度快等优势，因此在车载OBC、通信电源、UPS及高频DC-DC等领域有大量项目采用图腾柱无桥PFC替代传统的PFC或交错并联PFC。
CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJD380R70N,CSJF380R70N,CSJI380R70N
【选型】PFC电源应用上推荐Multi-EPI超结MOSFET，耐压高、耐电流冲击能力强、雪崩能量高
PFC对电路中MOS要求高的主要原因在于：（1）PFC输入电压范围很宽，要求MOSFET的耐压足够高，一般选用600V/650V耐压MOS；（2）PFC电路启动时由于控制环路响应问题，启动时电流尖峰较大，对于MOSFET耐电流冲击能力要求较高；（3）MOS管与感性负载连接，对EAS（雪崩能量）要求高。国产无锡紫光微Multi-EPI超结MOSFET很适合此处应用，本文以TPP65R170M说明。
亚成微高压超结MOSFET助力电视机电源模块PFC+LLC应用，采用多层外延工艺，有效实现节能降耗
创维OLED电视中电源系统PFC及LLC电路采用了亚成微电子超结MOSFET产品。亚成微高压超结MOSFET系列产品，采用业内先进的多层外延工艺，相比常规MOSFET，器件的开关特性和导通特性得到全面提升，产品参数稳定，器件EMI更优，可以有效助力电源系统实现节能降耗。
CSJD280R65N THRU CSJF280R65N 650V 15A 0.28Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD280R65N THRU CSJF280R65N 650V 15A 0.28Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJI280R65N,CSJF280R65N,CSJD280R65N
【产品】TO-247封装的600V超结功率MOSFET TPW60R090MFD，导通电阻最大仅0.09Ω
TPW60R090MFD是一款漏源电压为600V的超结功率MOSFET，采用TO-247封装，尺寸较小。该产品具有超快速体二极管和极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。
CWS60R090A 600V N-Channel Super Junction powerMOSFET
型号- CWS60R090AZ,CWS60R090AF,CWS60R090AC,CWS60R090A
CSJD380R65N THRU CSJF380R65N 650V 11A 0.38Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD380R65N THRU CSJF380R65N 650V 11A 0.38Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJF380R65N,CSJD380R65N,CSJI380R65N
【选型】全桥式电源应用上的超结MOSFET如何选型？
全桥式电源比半桥电路提供更高效率，所以它们主要用于大功率应用（超过1kW）。在一些要求输出功率较高的领域，全桥式开关电源变换技术占有者十分重要的地位。本文介绍全桥式电源的超结功率MOSFET如何选型，并以3kW DCDC产品为例推荐无锡紫光微TPW65R100MFD。
CWS55R140B 550V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS55R140BXR,CWS55R140BZ,CWS55R140B,CWS55R140BC,CWS55R140BF
【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380，适用于高频开关电源
BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结技术，可降低导通损耗，提高开关性能。 该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATD TE Dehumidifier的冷却功率：20~220W；工作电压：12V(DC)/ 220V(AC)；控温精度：≤±0.5℃；尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400(长*宽;单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论