【产品】专为低正向压降低电流快速开关而设的增强型高压硅肖特基二极管CMUD6263E系列
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的增强型高压硅肖特基二极管—— CMUD6263E系列（CMUD6263E/CMUD6263AE/CMUD6263CE/CMUD6263SE），环氧树脂模塑，采用SOT-523表面贴装封装，专为需要低正向压降的低电流快速开关应用而设计。其具体实物图如图1所示。
图1.CMUD6263E系列 硅肖特基二极管实物图
CMUD6263E系列硅肖特基二极管的峰值重复反向电压VRRM为70V，连续正向电流IF为70mA， 当反向连续电压VR为50V时，其反向电流IR的最大值为100nA，具有低反向电流和较高的反向耐压能力。其系列功率损耗PD的最大值为250mW，功率损耗值极低，还具有较低的正向压降。当正向电流IF为100μA时，正向压降VF的最大值仅为320 mV。产品封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图如图2所示。
图2.CMUD6263E系列 硅肖特基二极管封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图
CMUD6263E系列 硅肖特基二极管的峰值正向浪涌电流IFSM为100 mA（tp=1.0s），具备较强的抗浪涌冲击能力。其热阻ΘJA为500°C/W，结电容的最大值为2.0pF(VR=0, f=1.0MHz)。工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。反向恢复时间较短，时间trr最大值为5.0 ns(IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)。
CMUD6263E系列 硅肖特基二极管的主要特性：
•重复峰值反向电压VRRM为70V
•正向浪涌电流能力IFSM为100 mA（tp=1.0s）
•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃
•热阻ΘJA为500°C/W
•功率损耗PD为250mW
•结电容的最大值为2.0pF(VR=0, f=1.0MHz)
•反向恢复时间trr最大值为5.0ns(IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)
•SOT-523表面贴装封装
CMUD6263E系列 硅肖特基二极管的主要运用领域：
•低正向压降的低电流快速开关
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