【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC5N1700MT7，适用于开关电源和高压容性负载等
ASC5N1700MT7是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括效率更高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰降低，以及系统尺寸减小。
该器件采用TO-263-7封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1700V，连续漏极电流为5A，耗散功率为60W。
产品外观和内部电路图
特点：
●低电容高速开关
●高阻断电压，低导通电阻RDS(on)
●低寄生电感和低阻抗的封装
●独立的驱动源极引脚
●常闭型，驱动简单
●符合ROHS标准，无卤素
应用：
●高频应用
●高压容性负载
●开关电源
●辅助电源
绝对最大额定参数(Tc=25℃)：
电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)：
典型性能—静态
热特性
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