【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC5N1700MT7，适用于开关电源和高压容性负载等
ASC5N1700MT7是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括效率更高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰降低，以及系统尺寸减小。
该器件采用TO-263-7封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1700V，连续漏极电流为5A，耗散功率为60W。
产品外观和内部电路图
特点：
●低电容高速开关
●高阻断电压，低导通电阻RDS(on)
●低寄生电感和低阻抗的封装
●独立的驱动源极引脚
●常闭型，驱动简单
●符合ROHS标准，无卤素
应用：
●高频应用
●高压容性负载
●开关电源
●辅助电源
绝对最大额定参数(Tc=25℃)：
电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)：
典型性能—静态
热特性
订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自爱仕特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准
ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，适用于开关电源
爱仕特推出的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，耗散功率为550W。可用于EV电机驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。
【产品】650V N沟道碳化硅MOSFET ASR70N650D56，连续漏极电流36A，导通电阻低至60mΩ
ASR70N650D56是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET芯片，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其采用DFN5X6封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为650V，连续漏极电流为36A。
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
ASC5N1700MT7PB 1700V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC5N1700MT7PB型号的1700V N-Channel MOSFET，这是一种基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET。它具有高速开关、低电容、低栅极电荷等特性，适用于多种高电压应用，如太阳能逆变器、UPS、开关电源等。
型号- ASC5N1700MT7PB
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V
深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。
【元件】爱仕特新推SiC MOSFET MT7系列，采用TO263-7L封装，导通速度更快且损耗更小
爱仕特推出新款SiC MOSFET MT7产品，采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装，具有显著的性能优势，使自身SiC MOSFET产品阵容更加丰富。目前爱仕特MT7已进入量产，可应用于电动汽车、消费类电源等领域。
积极布局光伏市场，爱仕特科技SiC功率器件助力光伏逆变器企业提高转换效率、降低系统损耗
面向光伏逆变器功率更大、效率更高、体积更小、成本更低，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装的发展方向，爱仕特科技依托技术驱动，推出了全新一代SiC MOS以及EasyPACK、EasyPIM模块产品，已通过相关电性能测试评估及可靠性考核，实现功率密度最大化。
ASC5N1700MT7 1700V N沟道MOSFET
描述- 该资料介绍了ASC5N1700MT7这款硅碳化物(SiC) MOSFET的特性。它具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于高频应用和高电压电容负载。此外，还提供了详细的电气特性和热特性数据。
型号- ASC5N1700MT7
【产品】1700V N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT3，可用于电动汽车充电和DC-AC逆变器等
ASC100N1700MT3是爱仕特自主设计研发的一款N沟道SiC MOS芯片，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括系统效率最高，工作频率更快，功率密度增加。
【产品】漏源电压1200V的N沟道SiC MOSFET ASC30N1200MT7，耗散功率145W
ASC30N1200MT7是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，提供优越的开关性能和更高的可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷；优点包括更高的效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的电磁干扰以及系统尺寸减小。
LSIC1MO120G0025 1200 V、25 mOhm N沟道SIC MOSFET规格书
描述- 本资料为LSIC1MO120G0025碳化硅MOSFET的数据手册。该器件是一款高压、低导通电阻的N沟道SiC MOSFET，适用于高频、高效率应用。数据手册包含了最大额定值、热特性、电气特性、反向二极管特性、性能曲线和封装尺寸等信息。
型号- LSIC1MO120G0025
LSIC1mo120e0081200V，80mOhm N沟道SiC MOSFET
描述- 本资料为LSIC1MO120E0080型碳化硅MOSFET的数据手册。该器件具有1200伏耐压和80毫欧姆导通电阻，适用于高频、高效率应用。数据手册包含了最大额定值、热特性、电气特性、反向二极管特性、性能曲线、封装尺寸、编号标记和包装规格等信息。
型号- LSIC1MO120E0080,SIC1MO120E0080
【产品】规格为1200V/20A的N沟道碳化硅MOSFET ASR160N1200D88，适用于充电器
ASR160N1200D88是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅(SiC)MOSFET，其具有低电容高速开关、高阻断电压、低RDS(on)等特点。该器件采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论