【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N60FG，漏源电压最大额定值600V

时间： 2023-06-07 来源：福斯特半导体

技术问答

FIR12N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell^TM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。该器件广泛应用于AC-DC电源，DC-DC变换器和H桥PWM电机驱动器领域。器件封装，等效电路及产品图示如下：

特点

12A，600V，R_{DS(on)(典型值)}=0.57Ω@V_GS=10V

低栅电荷

低反向传输电容

快速开关特性

具有优秀的dv/dt值特性

绝对最大额定值(T_c=25℃，除非另有说明)

热特性

电气特性(T_a=25℃，除非另有说明)

漏-源二极管额定值和特性

注释

1.L=30mH，I_AS=6.66A，V_DD=140V，R_G=25Ω，T_J=25℃起始

2.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

3.几乎与工作温度无关

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由PlusLee翻译自福斯特半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N65FG，漏源电压最大额定值高达650V

FIR12N65FG是福斯特半导体推出的一款采用F-CellTM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。

产品发布时间 : 2023-06-06

【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR11NS65AFG，漏源电压最大额定值高达650V

FIR11NS65AFG是福斯特半导体推出的一款采用DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。

产品发布时间 : 2023-03-27

【产品】福斯特半导体推出N沟道增强型高压功率MOSFET FIR7NS70AFG/ALG，漏源电压最大额定值高达700V

FIR7NS70AFG/ALG是福斯特半导体推出的两款采用Silan的DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。

产品发布时间 : 2023-03-31

【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装

丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。

新产品发布时间 : 2019-10-16