沃尔德推出超大功率DX系列桥堆，40/60/80A三种工作电流可选，填补移动电源大功率输出的空白

时间： 2022-08-20 来源：充电头网

技术问答

便携式锂离子电池储能电源（英文Portable Energy Storage，PES），也叫便携储能电源、户外电源，常指重量不超过18kg的备用电源或者应急电源，采用锂离子电池作为储能部件，可以提供稳定交流/直流电压输出的电源系统，具有大容量、大功率、安全便携等特点，其电池容量一般在100Wh-2000Wh，配有AC输入，DC输入，AC输出，USB/Type-C输出等多种接口，适用于户外出游、户外作业，应急救灾、医疗抢险等多种场景。

无论在欧美，还是在我国，越来越多的自驾游爱好者、户外旅行团队，以及个人玩家，对便携式储能电源的需求激增，这类产品多样化的功能，为用户在户外提供供电、照明等用途，丰富了户外生活。而在抗震防灾的用途中，可应对停电、照明、SOS救援等需求，在地震、飓风等恶劣自然灾害中重要性尤为凸显。

图 1

随着用户用电设备日趋多元化，储能电源正朝着更大功率的方向发展，以满足不同设备的用电需求；不仅如此，越来越多的储能电源开始采用输入输出接口2合1布局，以简化充放电电路设计，进而缩小储能电源产品体积，同时增加输出功率，从而提升用户使用体验。

沃尔德推出超大功率DX系列桥堆

AC输出（包括110V/220V输出，以应对不同国家的电压）是储能电源与移动电源最大的区别。大功率的交流输出使储能电源能够为交流供电的设备供电，同时还具备传统移动电源的功能，可以为手机和笔记本电脑供电，从而填补移动电源大功率输出的空白。

储能电源是通过逆变器将直流电压升压成高压交流，再经过整流电路和电容滤波后成为高压直流，最后经过调制变成交流输出。而桥式整流电路是逆变器中不可或缺的电路构成，用于将升压后的交流电整流。整流桥输出的直流电压经过电容滤波送至四颗MOS管组成的H桥调制级进行交流调制，输出交流电压。

不仅如此，在军事、通信、工厂和企业UPS系统等应用场景中，需通过三相逆变器将直流电能转换为交流电，三相整流桥在其中同样发挥着重要作用。

图 2

为应对大功率电源及大功率储能逆变电源应用，沃尔德于2021年开发出DX系列桥堆，采用DXB封装和DXT封装，可用于3K-6KW超大功率的电源及储能逆变电源产品中。

图 3

沃尔德将四颗或六颗芯片封装到一个桥堆里，大大节省传统四颗或六颗二极管所占空间；多颗芯片封装到一起，相对于分离的二极管来讲，一致性更好；人工成本以及产品的整体性价比更高；对于生产加工效率也有极大的提高。

图 4

DXB和DXT封装尺寸如上图所示，DXB封装为4引脚设计，可用于单相逆变桥和LOW VF单相整流桥产品；DXT封装为5引脚设计，可用于三相逆变桥和LOW VF三相整流桥产品。

表 1

沃尔德LOW VF桥系列产品目录如上表所示，其中采用DXB封装的单相整流桥DXB2508L工作电流为25A，采用DXT封装的三相整流桥 DXT4008L和DXT6008L工作电流分别为40A和60A，弥补市面上大功率应用场景LOW VF桥堆的空缺。

表 2

沃尔德单相逆变桥产品目录如上表所示，采用DXB封装相比采用GBJ、GBU等封装的产品，在正向压降、反向漏电流、浪涌电流等方面更具优势。此次推出的DXB封装桥堆提供40A、60A、80A三种工作电流和两种工作电压可选，300V桥堆适合110V电压输出，600V桥堆适合220V电压输出。

表 3

沃尔德三相逆变桥产品目录如上表所示，均采用DXT封装，提供40A、60A、80A三种工作电流和300V、600V两种工作电压可选，满足不同使用场景。

随着国家对碳达峰碳中和战略决策的稳步落实，新一轮能源变革已经开始，沃尔德此次推出的DX系列逆变桥和LOW VF桥，不仅可用于光伏逆变器、储能电源、UPS不间断电源、充电桩等清洁能源领域，还可用于传统逆变器、功放电源、工控电源、服务器电源等产品中，助力超大功率电源实现更高效率。

图 5

目前沃尔德正与逆变行业内的企业积极配合，完成搭载DX系列桥堆的10个重点型号量产，有望进入行业标杆客户供应链。

沃尔德以解决客户应用痛点为追求，致力于更高能效转换的半导体产品研发与设计，提供更加专业的半导体元器件。主要产品有低VF肖特基、肖特基桥式整流器、高压肖特基、类碳化硅肖特基、吸收二极管、软恢复桥、低VF桥等。

图 6

沃尔德为客户提供高可靠度、高效率、低温升、超薄贴片型的产品。广泛应用于电源系统、通信设备、LED照明设备、各种家用电器，消费电子设备等。

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型号- 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选型指南 - 沃尔德 - 2023/12/12 PDF 中文下载

国产超低VF肖特基二极管30V 100mA 低功耗器件RB521M9-30, 封装SOD-923

高特微电子的LOW VF肖特基二极管（低功耗器件）RB521M9-30是一种低功耗、超高速半导体器件，用于能承受较大的正向电流和较高的反向电压，性能较稳定。其工作电压为30V，最大正向导通电流为100mA，在20mA电流下VF值低至0.4V，工作电压30V下，仅有50μA的漏电电流，采用SOD-923的小型封装，封装尺寸为1.0*0.6*0.42mm，不含卤素。

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高特微电子SS520BF：200V高压下仍具备极高稳定性的可靠肖特基二极管

SS520BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在200V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在200V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

高特微电子SS22B超低VF肖特基二极管采用SMB小型封装，具有极高的稳定性，适用于便携式电子设备

SS22B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在20V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-05-14

超低VF肖特基二极管SS24B性能稳定，尺寸小巧，不含卤素，专为处理大电流和高压场景而设计

SS24B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-05-14

高特微电子SS515BF肖特基二极管：150V高压环境下，其漏电电流仅1mA

SS515BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在150V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

【选型】矽航（XI HANG）ESD/EOS防护器件、稳压/TVS/肖特基二极管、低/高压MOSFET选型指南

目录- ESD防护器件 EOS防护器件/稳压二极管 TVS二极管/肖特基二极管低压/高压MOSFET 封装种类

型号- XE3DLC5VB,XSBD1DF40V3,XNM05N50F,XSBD1DF40V2,XNM05N50E,XSBD1DF40V1,SMAFJ440CA,XE23T5VB,XNM10N65F,XE3DLC12VB,XNM10N65E,SMCJ440CA,XT1DTF15VB,XE2XLC5VU,SMAJ5_0(C)A-,XE3DHC3V3B,XE2XSC5VB,XBAT54,XZ5D75VB,XNMIRF630,SMF5.0CA,XNM02N65F,XNM02N65E,XT3D15VU,XE9DLC5VB,XT1DFT24VU,XSBD1DF120V2,XSBD1DF120V1,XSBD1DF120V3,XE23T12VU,XTDP4V5B,SMCJ5_0(C)A_,XE3DLC24VB,SMF220(C)A,XSBDBF40V2,XE2XLC5VB,XT1DFT24VB,XNM4946DS,XNM4422S,XE23T712B,XNM2N7002K,XNM05N60E,XT3D9VU,XNM05N60F,XPM2305N,SMBFJ5.0CA,XE10NLC5VU,XE23T24VU,XZ3D75VB,XNMIRF830F,XE9DSC5VB,XZ1D2V0B-,XTDP12VU,XE3F5VB,XNM9926TS,XE3DHC5VB,XE23T12VB,XE6TLC5VU,XNM4946S,XZ1D2V0B,XE23T36VU,XZ2F75VZ,SMF5.0A,XE5DHC12VU,XNM6968S,XTDP5VU,XE23T5VU,XE6TSC5VU,XE23T24VB,XT1DTF15VU,SMBFJ5.0(C)A-,XNM01N60SA,XE5DHC7VU,SMF220A,XZ2F2V0C-,XE23T3V3U,XT3N15VU,XNM01N60SI,XNM01N60SJ,XE2F5VB2,XE2FLC5VU,XNM02N60SI,XNM02N60SJ,XNM02N60SE,XE2X12VB,XE5D4V5B,SMCJ440(C)A,XNM02N60SF,XE23T36VB,XSBD1DF80V1,XNMIRF830,XE2FLC5VB,XSBD1DF80V3,XSBD1DF80V2,XE2FUC5VB,XNM6968CTS,XT3DHC15VB,XNM35N03J,XBAT54S,XT3N7V5U,SMBJ440CA,SMAFJ440(C)A,XNMSG301DK,XE23T3V3B,XE2F12VB,XBAT54C,XSBDAF100V2,XZ5D2V0B,XNMIRF840,XBAT54A,SMAJ5.0A,XT3D7VU,XSBDAF45V5,XPM2301N,XSBD1DF150V2,XSBD1DF20V1,XSBD1DF150V1,SMAFJ5.0CA,XE2FHC5VU,XE5DUC5VB,XZ2F2V0C,XE2FHC5VB,XNM04N60F,XT1DTF12VB,XNM04N60E,XNM2N7000,XNM2N7002,XE5DLC5VB,XNMIRF730,XE2X4V5B,XSBD1DF20V2,XSBD1DF20V3,XNM2N7002SN,XT1DTF7VB,XSBD1DF100V2,XSBD1DF100V1,XSBD1DF100V3,XE2F4V5B,XT1DTF7VU,XNM10N60F,XNM10N60E,XNMIRF740,XT2N26VU,XE5DHC5VU,XE3DHC12VB,XNMIRF630F,XE2XUC5VB,XE2F3V3B,SMAJ440(C)A,XNM50N03J,XTDP15VU,XE3D5VB,XE3FUC5VU,XZ3D2V0B-,XT3D4V5U,XNMIRF740F,XT3N24VU,XNM03N60F,XE9DUC5VB,XNM03N60E,XT3DHC36VB,SMF220CA,XE5D3V3B,XNM12N65F,XNM12N65E,XE9D4V5B,XT3F15VU,XT1DTF12VU,XNM2302N,XT3D12VU,SMAJ440A,XE3DLC15VB,XT1DTF18VB,XT3D5VU,XSBD1DF60V1,XSBD1DF60V2,XSBD1DF60V3,XE2X5VB,XE3FUC5VB,XSBD1DF200V2,XSBD1DF200V1,XE23TLC3V3B,XSBDC100V3,XNM07N60F,XT3D4V5B,XTDP9VU,XNM07N60E,SMAJ440CA,XE2FLC3V3B,XNM04N65E,XE2X3V3B,XNM04N65F,SMBJ5.0A,XNM8205,XNM9926N,XNMIRF840F,XNM9926S,XT2N4V5B,SMCJ440A,SMBJ5.0(C)A-,SMAJ5.0CA,XT3N4V5B,XE9D3V3B,XZ5D2V0B-,SMBFJ5.0A,XNM2N7002KSN,XNM02N60J,XNM02N60I,XNM02N60F,XNM02N60E,XT1DTF18VU,SMBJ440A,SMAFJ440A,XNM07N65F,XE2F5VB,XE3DLC8VB,XNM07N65E,SMCJ5.0CA,XPM4435S,XT3N12VU,XT3DHC24VB,SMBJ440(C)A,XNM3005LJ,XNM12N60F,XNM12N60E,XNM3055MJ,XE2FHC15VU,XZ3D2V0B,SMAFJ5.0(C)A-,XT3D3V3U,XNMIRF730F,SMF5.0(C)A-,XE10NLC3V3U,XE3DLC3V3B,SMCJ5.0A,SMAFJ5.0A,XE9D5VB,XE143TLC5VU,XTDP7VU,XZ1D75VB,XE143TUC5VU,XNM3055LJ,XNM8205A,XPM9435S,XNM06N60F,XNM06N60E,SMBJ5.0CA

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【视频】沃尔德软桥/吸收二极管优化500K前差模传导，30-60M的EMI辐射改善

型号- WRABS20M,ABD-10A,WRMSB25M,WRLSB80M,WRMSB30M,WRLSB60M,WR8M,WRMSB40M,ABD-10FL,WRABS20MF,WRABS10M

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高特微电子LOW VF肖特基二极管SS512BF，专为处理大电流和高压场景而设计

SS512BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在120V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在120V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

沃尔德国际（中国）有限公司公司简介

型号- MSB40JL,GBJ2506E50,D3K803E50,KBJ1506L,TSR10L350CTF,WRGBP310,TSP2L40FL,RBU1506L,ABD-10A,GBJ1506L,D3K806E50,WRMSB30M,GBU803E50,GBU1003E50,TSP3L40FL,GBJ2506L,GBU1506E50,WRABS20M,GBU2503E50,GBU2506E50,WRKBJ610,TSA10L300,GBU806E50,WRGBU1010,TSR6T600ACT,WRKBJ410,TSR8T600ACT,D3K606E50,WRGBP210,WRGBU1510,TSR16T350ACT,WRABS15M,WRMSB40M,TSA16L300,TSP1L40S,TSR10L300CT,TSR10T600ACT,TSP05V40D,WRGBP410,TSR20L350CTF,ABD-10FL,RBU406L,RBU806L,D3K603E50,GBP406L,TSP3P40FL,WRGBU610,KBJ806L,WRGBU410,GBU606E50,GBU806L,TSR6T650ACT,TSR8T650ACT,GBU1506L,WRGBU810,WRABS10M,LSB40JL,WRMSB25M,TSR16L300CT,TSR10L300CTF,GBU1503E50,TSA5L300,TSA15P80,GBU603E50,TSR16L300CTF,GBU1006E50

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高特微电子LOW VF肖特基二极管SS515B，采用SMB小型封装，尺寸紧凑，有效节省电路空间

SS515B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在150V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-10-29

100V 2A SMA封装超低VF肖特基二极管SS210，为电子设备带来更优能效

SS210是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在100V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在100V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-04-09