【产品】1200V低功耗SiC-MOSFET SCH2080KE，开关损耗可减少90%，有效减少部件个数

时间： 2018-09-04 来源：ROHM

代理服务

技术支持

采购服务

SiC-MOSFET,低功耗SiC-MOSFET,碳化硅MOSFET,SCH2080KE

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V 的第2 代SiC(Silicon carbide：碳化硅)MOSFET"SCH2080KE"。此产品损耗低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。

现在，在1200V级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电导致的特性劣化(导通电阻和正向电压的上升／耐性劣化)和栅氧化膜故障等可靠性方面的课题较多，之前无法实现真正的全面导入。

此次，罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造，成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30%，实现了芯片尺寸的小型化。另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD 一体化封装，使SiC-MOSFET 的体二极管长久以来的课题—降低正向电压成为可能。由此，与一般的逆变器中所使用的Si-IGBT 相比，工作时的损耗降低了70% 以上，实现了更低损耗的同时，还实现了50kHz以上的更高频率，而且有助于外围部件的小型化。

另外，此次还同时开发了与SiC-SBD 非同一封装的型号SiC-MOSFET"SCT2080KE"，提供满足不同电路构成和客户需求的产品。

低功耗SiC-MOSFET SCH2080KE特点：

1) SiC-MOSFET与SiC-SBD 一体化封装
成功实现"SCH2080KE"与传统上需要外置的SiC-SBD的一体化封装，降低了正向电压。可减少部件个数，而且有助于进一步节省空间。产品阵容中还包括传统结构的"SCT2080KE"，可满足客户的多种需求

2) 无开启电压，具备卓越的电流电压特性
通过优化工艺和元件构造，与第1代产品相比，单位面积的导通电阻降低约30%。不存在一般使用的Si-IGBT 长久以来所存在的开启电压，因此即使在低负载运转时损耗也很低。

3) 正向电压降低70%以上，减少了损耗和部件个数
SiC-MOSFET的体二极管，在SiC物质特性的原理上决定了其开启电压较大，高达2.5V以上，常常成为逆变器工作时的损耗。"SCH2080KE"集SiC-SBD 与SiC-MOSFET于同一封装内，大大降低了正向电压。不仅损耗更低，还可减少部件个数。

4) 无尾电流，可进行低损耗开关
由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流，因此关断时的开关损耗可减少90%，有助于设备更加节能。另外，达到了Si-IGBT 无法达到的50kHz以上的开关频率，因此，可实现外围设备的小型化、轻量化。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 5
| 转发至：

本文由LEA酱的一生转载自ROHM，原文标题为:罗姆于世界首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，并开始量产～大大降低逆变器的功耗，有效减少部件个数，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（5）

shakencity Lv7. 资深专家 2019-04-22

学习学习
用户34395721 Lv4. 资深工程师 2018-10-31

厉害
yuyu Lv8. 研究员 2018-09-04

学习了！
titan Lv8. 研究员 2018-09-04

学习了
用户84786367 Lv8. 研究员 2018-09-04

学习了

没有更多评论了

【产品】SiC-MOSFET体二极管的正向特性与反向恢复特性说明

本文将对ROHM推出的SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。SiC-MOSFET体二极管的正向特性Vf比Si-MOSFET大。SiC-MOSFET体二极管的trr更高速，与Si-MOSFET相比可大幅降低恢复损耗。

2018-12-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】频率高达100KHz的SIC-MOSFET电源模块flow SiC 0，专为超高速切换频率而设计

新一代SiC-MOSFET模块首次发布。一个是flow3xPHASE 0 SiC ，三相逆变器模块带3x降压-升压和分割输出拓扑结构；另一个是 flow3xBOOST 0 SiC ，带三通道升压电路。

2016-04-28 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3，导通电阻仅40 mΩ

派恩杰（PN Junction）推出的650V碳化硅MOSFET N沟道增强型P3M06040K3，符合ROHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，阻值仅为40 mΩ，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

2020-06-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

2023-04-14 - 活动

【经验】SiC-MOSFET与IGBT的区别

本章将针对ROHM推出的SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍。SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。

2018-12-24 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

GPT080M0120HBMXT1碳化硅MOSFET

本资料详细介绍了GPT080M0120HBMXT1型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。

泰科天润 - 碳化硅MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,GPT080M0120HBMXT1,MOTOR DRIVES,电动汽车充电,SOLAR INVERTERS,ENERGY STORAGE,不间断电源,EV CHARGING,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,电动机驱动,模式电源开关,储能

2024/8/13 - 数据手册 - Rev. X.0 代理服务技术支持采购服务

B2M040120Z碳化硅MOSFET

本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。

基本半导体 - 碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M040120Z,开关模式电源,DC/DC变换器,电源逆变器,EV充电站,POWER INVERTER,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,EV CHARGING STATION,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,电动机驱动器,太阳能逆变器,SMPS,DC/DC CONVERTER,模式电源开关

2023-08-10 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

E/G型全碳化硅模块评估板第二代碳化硅MOSFET用户指南

本资料为ROHM公司生产的E/G型全碳化硅模块（BSMGD2G12D24-EVK001）的评估板用户手册。手册详细介绍了评估板的功能、使用方法、安全注意事项、电气特性、电路图和物料清单。评估板适用于研发环境，用于驱动第二代碳化硅MOSFET模块，具备门极驱动、短路保护、过压保护、欠压保护和温度监控等功能。

ROHM - GATE DRIVER BOARD,评估板,EVALUATION BOARD,门驱动器板,RB168VAM150TR,LTR18EZPFLR470,MCR01MZPF2202,MCR01MZPF2201,MCR01MZPF2002,NON-C1005,MCR01MZPF6801,BD71L4LG-1GTR,MCR01MZPF4700,MCR01MZPF6800,NON-C2012,MCR01MZPF4701,MCR01MZPF4702,MCR01MZPF6802,2SCR572D3TL1,BSMXXXD12P2GXXX,BSMXXXC12P2EXXX,NFM18CC223R1C3D,MCR01MZPF1000,UMK212B7105KGHT,EMZ6.8NTL,NON-C1608,NON-BSM300,MCR01MZPF1502,UMK105CH101JVHF,BSM180C12P2E202,TFZVTR30B,EMK212BBJ106KGHT,RHU003N03FRAT106,MCR01MZPF3600,UMJ316BC7475KLHTE,LTR18EZPF68R0,MCR03EZPJ000,MCR03EZPFX4702,EMK212AB7475KGHT,3408-6002LCPL,BM60054AFV-CE2,BSM400D12P2G003,BU4S11G2-TR,MCR01MZPF2701,RF071MM2STR,UMK107B7102KAHT,MCR03EZPFX1003,2SAR572D3TL1,MCR03EZPFL3R90,BSM300D12P2E001,NON-LTR18,UMK105B7104KVHF,BU4S81G2-TR,BSMXXXC12P2GXXX,BD450M2EFJ-CE2,BSMXXXD12P2EXXX,S-19110PABH-M6T1U4,MCR01MZPF5101,MCR03EZPFX3301,MCR01MZPJ000,MCR03EZPFX1000,NON-MCR10,BSMGD2G12D24-EVK001,RFN1LAM7STR,MCR01MZPF3902,MCR01MZPF1003,RB160MM-40TR,MCR01MZPF1001,BU7261SG-TR,MCR01MZPF5602,BD7F200EFJ-LBE2,TFZVTR12B,MCR10EZPF6801,LTR18EZPF2701,RB160VAM-60TR,MCR10EZPF4701,MCR01MZPF3901,MCR01MZPF1801,HFTR4CA,TFZVTR6.2B,GMK107AB7105KAHT,BSM180D12P2E002,S-19700A00A-E8T1U4,MCR01MZPF10R0,TMK107B7474KAHT,NON-MCR03,NON-MCR01,FULL SIC MODULES,全集成电路模块

SEP.2019 - 用户指南 - Rev.002 代理服务技术支持采购服务

GPT040M0120HBMX1碳化硅MOSFET

该资料详细介绍了GPT040M0120HBMX1型碳化硅MOSFET的特性、最大额定值、绝缘特性、热特性、电气特性、动态特性、开关特性、体二极管特性、热敏电阻特性以及典型特性曲线。该产品适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动、能源存储和UPS等领域。

泰科天润 - 碳化硅MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,GPT040M0120HBMX1,MOTOR DRIVES,电动汽车充电,SOLAR INVERTERS,ENERGY STORAGE,不间断电源,EV CHARGING,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,电动机驱动,模式电源开关,储能

2024/8/12 - 数据手册 - Rev. X.3 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【经验】SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别：驱动电压和内部栅极电阻

本文将介绍ROHM推出的SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。

2018-12-09 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

ROHM SiC功率器件：SiC肖特基二极管、SiC-MOSFET、SiC功率模块，覆盖低耐压到1000V高耐压产品

ROHM可提供多种类型已经在售的SiC功率器件，在业内率先推出了采用SiC（碳化硅）半导体技术的产品，实现从低耐压器件到耐压超过1000V的高耐压器件的广泛系列。包括SiC肖特基二极管、SiC-MOSFET、SiC功率模块。世强提供小量快购、批量采购以及专业技术支持。

2018-10-30 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

G2M080120D7碳化硅MOSFET

本资料详细介绍了G2M080120D7型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。

泰科天润 - 碳化硅MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,G2M080120D7,MOTOR DRIVES,电动汽车充电,SOLAR INVERTERS,ENERGY STORAGE,不间断电源,EV CHARGING,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,电动机驱动,模式电源开关,储能

2024/8/12 - 数据手册 - Rev. X.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

ROHM采用SiC MOSFET开发Trans-link交错型逆变器，实现5kW时功率转换效率99%以上

罗姆（ROHM）采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中，平滑电抗器的电感量可以减小。

2022-03-21 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

ROHM碳化硅MOSFET为Midnite Solar四款太阳能充电控制器提供高效率、低成本解决方案

ROHM近日宣布，各种可替代能源产品的领先制造商Midnite Solar公司采用ROHM的碳化硅MOSFET来提高效率和降低系统成本。Midnite Solar在其新的太阳能产品系列中使用了ROHM的60mΩ RDS(on)碳化硅器件和较新的30mΩ RDS(on)产品。

2021-02-15 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

G2M060120N碳化硅MOSFET

本资料详细介绍了G2M060120N型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作、快速反向恢复体二极管等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。

泰科天润 - 碳化硅MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,G2M060120N,MOTOR DRIVES,电动汽车充电,SOLAR INVERTERS,ENERGY STORAGE,不间断电源,EV CHARGING,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,电动机驱动,模式电源开关,储能

2024/8/12 - 数据手册 - Rev. X.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本