【选型】待机电流仅0.1μA的NOR Flash用于数据处理设备，可替代SST25VF512A-33-4I-SAE
兆易创新专注于各类存储器的设计研发，NOR Flash、NAND Flash等产品可广泛应用于汽车、安防、工业、消费类等领域。在数据处理设备上，客户选用了一款兆易创新的NOR Flash用于主控MCU的外置flash来存储程序和数据。原来客户选用的是微芯的一款SST25VF512A-33-4I-SAE，本文分析一下兆易创新的GD25WD05CTIGR替代微芯的SST25VF512A-33-4I-SAE的可行性。下面是他们的参数对比：
表1 GD25WD05CTIGR和SST25VF512A-33-4I-SAE参数对比
从参数对比可知：
1. GD25WD05CTIGR的输入电压更广，适用性更强。
2.GD25WD05CTIGR支持双输出，在电压为3.0～3.6V时快速读取速度为100MHz，双输出数据传输高达160Mbit/s，比SST25VF512A-33-4I-SAE速率要高。
3. GD25WD05CTIGR典型深度休眠电流以及待机电流均为0.1μA，功耗比SST25VF512A-33-4I-SAE的低。
下面是他们的封装以及引脚定义图：
从上图可知他们的封装尺寸大小是一样的，需注意的是两者引脚7不同，GD25WD05CTIGR是悬空，而SST25VF512A-33-4I-SAE是HOLD#引脚，用于暂停SPI闪存正在进行的串行序列，而无需复位计时顺序，GD无此功能脚，具体看客户需求而定。硬件大部分能兼容，参数也都差不多。
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