【选型】待机电流仅0.1μA的NOR Flash用于数据处理设备,可替代SST25VF512A-33-4I-SAE

2021-10-29 世强
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兆易创新专注于各类存储器的设计研发,NOR FlashNAND Flash等产品可广泛应用于汽车、安防、工业、消费类等领域。在数据处理设备上,客户选用了一款兆易创新的NOR Flash用于主控MCU的外置flash来存储程序和数据。原来客户选用的是微芯的一款SST25VF512A-33-4I-SAE,本文分析一下兆易创新的GD25WD05CTIGR替代微芯的SST25VF512A-33-4I-SAE的可行性。下面是他们的参数对比:

表1 GD25WD05CTIGR和SST25VF512A-33-4I-SAE参数对比


从参数对比可知:

1. GD25WD05CTIGR的输入电压更广,适用性更强。

2.GD25WD05CTIGR支持双输出,在电压为3.0~3.6V时快速读取速度为100MHz,双输出数据传输高达160Mbit/s,比SST25VF512A-33-4I-SAE速率要高。

3. GD25WD05CTIGR典型深度休眠电流以及待机电流均为0.1μA,功耗比SST25VF512A-33-4I-SAE的低。


下面是他们的封装以及引脚定义图:

从上图可知他们的封装尺寸大小是一样的,需注意的是两者引脚7不同,GD25WD05CTIGR是悬空,而SST25VF512A-33-4I-SAE是HOLD#引脚,用于暂停SPI闪存正在进行的串行序列,而无需复位计时顺序,GD无此功能脚,具体看客户需求而定。硬件大部分能兼容,参数也都差不多。


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