【产品】30V/40A的N沟道功率MOSFET DI040N03PT，可提供通过AEC-Q101认证的产品
DIOTEC（德欧泰克）推出的DI040N03PT是一款N沟道功率MOSFET，采用小型的QFN3×3封装，节省空间。漏源电压30V，连续漏极电流40A（TC=25℃），漏源导通电阻小，典型值仅6mΩ（VGS=10V，ID=15A）。提供通过AEC-Q101认证的产品，型号DI040N03PT-AQ。
特点
· 节省空间的小型封装
· 封装高度小
· 导通电阻小
· 开关速度快
· 栅极电荷低
· 符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
· 电源管理单元
· 电池供电的设备
· 负载开关、极性保护
· 商业级应用
· 型号后缀-AQ的器件通过AEC-Q101认证
机械参数
· 编带和卷盘包装：5000/13”
· 重量约0.1g
· 外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
· 焊接和装配条件：260℃/10s ，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值（TA=25℃）
静态特性
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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型号- DI065N06PT
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
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