【产品】30V/40A的N沟道功率MOSFET DI040N03PT,可提供通过AEC-Q101认证的产品
DIOTEC(德欧泰克)推出的DI040N03PT是一款N沟道功率MOSFET,采用小型的QFN3×3封装,节省空间。漏源电压30V,连续漏极电流40A(TC=25℃),漏源导通电阻小,典型值仅6mΩ(VGS=10V,ID=15A)。提供通过AEC-Q101认证的产品,型号DI040N03PT-AQ。
特点
· 节省空间的小型封装
· 封装高度小
· 导通电阻小
· 开关速度快
· 栅极电荷低
· 符合RoHS、REACH标准,以及Conflict Minerals(冲突矿产)的管理规定
典型应用
· 电源管理单元
· 电池供电的设备
· 负载开关、极性保护
· 商业级应用
· 型号后缀-AQ的器件通过AEC-Q101认证
机械参数
· 编带和卷盘包装:5000/13”
· 重量约0.1g
· 外壳材料的阻燃等级:UL 94V-0
· 焊接和装配条件:260℃/10s ,MSL(湿度敏感等级)=1
最大额定值(TA=25℃)
静态特性
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
|
0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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