派恩杰半导体凭借SiC功率器件技术喜获“「金长城」奖-年度最具成长性企业”殊荣
2021年10月12日，《21世纪经济报道》主办的“2021中国智造业年会”会上，揭晓了“2021中国智造「金长城」奖”的评选结果。派恩杰半导体（杭州）有限公司（以下简称派恩杰半导体）凭借全球领先的SiC功率器件技术喜获“「金长城」奖-年度最具成长性企业”殊荣。
图 1 派恩杰喜获”「金长城」奖-年度最具成长性企业 “
正如派恩杰半导体总裁黄兴先生在本届中国制造业年会-半导体产业的颠覆式创新圆桌讨论所分享的那样，中国在以硅（Si）为代表的第一代半导体材料，与国际企业的差距最大，到砷化镓（GaAs）代表的第二代半导体材料已经有突破的迹象，而在以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料方面则有追赶和超车的良机。派恩杰半导体刚好赶上了这一时机，潜心研发，开发出了可以与国际企业一争高下的高性能SiC功率器件产品。
这些产品将应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等领域，目前已有一些全球一线客户导入使用。派恩杰半导体表示，将会持续投入和加强自主研发能力，不断带给客户先进SiC技术和方案，帮助客户创新产品、改善产品、提升产品。
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