【产品】无锡紫光微推出650V N沟道MOSFET，持续漏极电流为10A，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃

时间： 2023-01-31 来源：无锡紫光微

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无锡紫光微（UNIGROUP）推出TMA10N65H、TMC10N65H的N沟道MOSFET，漏-源电压额定值为650V，持续漏极电流为10A，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃，适用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正等应用。

产品特性

·快速切换

·100%雪崩测试

·改进的dv/dt能力

产品应用

·开关模式电源（SMPS）

·不间断电源（UPS）

·功率因数校正（PFC）

注：

1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2. I_AS=7.5A，V_DD=50V，R_G=25Ω，初始T_J=25℃

3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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