【产品】漏极-源极电压最小值为40V的增强型氮化镓功率管INN40W03,具有零反向恢复损耗
英诺赛科新推出的增强型氮化镓功率管INN40W03,漏极-源极电压最小值为40V,具有零反向恢复损耗。其相关性能指标非常优越。
INN40W03增强型GaN FET的特点
·超高的开关频率
·超低的导通电阻RDS (on)
·快速且可控的下降和上升时间
·零反向恢复损耗
INN40W03增强型GaN FET的应用
·同步整流
·D类音频
·包络跟踪电源
·高频DC-DC转换器
电气参数(TJ=25℃,除非另有说明)
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现货市场
服务
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实验室地址: 深圳 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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