【选型】可抗辐照的硅基增强型GaN MOSFET EPC2032，航空级DCDC电源输出端的优秀选择
在卫星等航天级DCDC电源设计中，500W以下功率通常采用LLC拓扑结构，其中MOSFET场效应管是实现开关频率的核心器件，影响功率密度和电源效率。
为了提高功率密度和转换效率，同时兼顾航天抗辐照的要求，需要低导通电阻、高达1MHz以上开关频率的MOSFET器件。传统的硅工艺MOSFET开关频率在几百KHz，同时也不能通过抗辐照测试。DCDC电源输出端电压通常小于50V。针对输出端低压开关抗辐照MOSFET应用， EPC（宜普）拥有硅基增强型GaN MOSFET器件，针对100V的MOSFET应用，推荐硅基增强型GaN MOSFET EPC2032，额定电压100V，额定电流48A，脉冲电流340A，驱动栅极电压6V，以下是EPC2032的电性能参数：
图1.参数
EPC2032是采用硅基GaN工艺的MOSFET，具有非常高的电子迁移率，可以达到1MHz以上的开关速度；导通电阻可以低至3mΩ，提高电源转换效率；GaN工艺带来天然的抗辐照能力，可以达到航天级对器件辐照特性的要求，EPC2032采用硅片封装，具有较高的散热能力，保证长期可靠性，以下是EPC2032封装结构：
图2 EPC2032封装结构
综上所述，EPC的硅基增强型GaN MOSFET器件EPC2032，具有额定电压100V、3mΩ低导通电阻、4.6*2.6mm小尺寸封装、GaN工艺带来的天然抗辐照特性，是航天级高功率密度、高开关频率DC-DC电源输出端MOSFET的最佳选择。
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