【选型】可抗辐照的硅基增强型GaN MOSFET EPC2032，航空级DCDC电源输出端的优秀选择
在卫星等航天级DCDC电源设计中，500W以下功率通常采用LLC拓扑结构，其中MOSFET场效应管是实现开关频率的核心器件，影响功率密度和电源效率。
为了提高功率密度和转换效率，同时兼顾航天抗辐照的要求，需要低导通电阻、高达1MHz以上开关频率的MOSFET器件。传统的硅工艺MOSFET开关频率在几百KHz，同时也不能通过抗辐照测试。DCDC电源输出端电压通常小于50V。针对输出端低压开关抗辐照MOSFET应用， EPC（宜普）拥有硅基增强型GaN MOSFET器件，针对100V的MOSFET应用，推荐硅基增强型GaN MOSFET EPC2032，额定电压100V，额定电流48A，脉冲电流340A，驱动栅极电压6V，以下是EPC2032的电性能参数：
图1.参数
EPC2032是采用硅基GaN工艺的MOSFET，具有非常高的电子迁移率，可以达到1MHz以上的开关速度；导通电阻可以低至3mΩ，提高电源转换效率；GaN工艺带来天然的抗辐照能力，可以达到航天级对器件辐照特性的要求，EPC2032采用硅片封装，具有较高的散热能力，保证长期可靠性，以下是EPC2032封装结构：
图2 EPC2032封装结构
综上所述，EPC的硅基增强型GaN MOSFET器件EPC2032，具有额定电压100V、3mΩ低导通电阻、4.6*2.6mm小尺寸封装、GaN工艺带来的天然抗辐照特性，是航天级高功率密度、高开关频率DC-DC电源输出端MOSFET的最佳选择。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
Thermal Model of EPC2029, EPC2030, EPC2031, EPC2032, EPC2033, EPC2234, EPC2034(C)
型号- EPC2234,EPC2034C,EPC2029,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2034,EPC2033
Substrate Vendor Alternate Product / Process Change Notification (PCN) (PCN240531)
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
Substrate Vendor Alternate Product / Process Change Notification (PCN) (PCN240501)
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124
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描述- 本方案通过采用Melexis公司汽车级的高动态高速TOF传感技术、EPC公司的eGaN工艺的高速、低RDS(on)晶体管及其相关器件，帮助TOF相机实现高动态高速测量，避免红爆现象并可在强日光下工作，同时帮助降低发热量，提升可靠性，产品应用更广泛。
型号- EPC2212,EPC2016,MLX75023,FC-12M,MLX75024,MLX75123,EPC2032,EPC2031,SGM41285,EFM32TG11,EFM32ZG,SG-8018,EPC2202,SGM6607,FA-20H,EPC2206,EPC2021,EPC2022,TSX-3225,SGM6232,PH,SGM220,SGM601X,FA-128,FC-135,RX8010SJ,EFM32HG,MGV
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【经验】EPC进行一系列严格的压力测试，以保证eGaN FET可靠性
前面内容详细介绍了EPC公司的增强型氮化镓（eGaN）FET和集成电路（ICS）的现场可靠性经验。 eGaN器件卓越的现场可靠性证明了基于应力的鉴定测试能够确保客户应用的可靠性。 在本文中，我们将研究EPC设备进行压力测试来保证产品的合格性。EPC产品只有完成一系列严格的应力测试才能为生产做准备，同时在数据表规格内运行。采用压力测试来加速潜在的故障模式。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC（宜普）增强型氮化镓(GaN) FET/IC 快速参考指南
型号- EPC950X,EPC2012C,EPC2016C,EPC2019,EPC9126,EPC9203,EPC9127,EPC9128,EPC9201,EPC9120,EPC9121,EPC2102,EPC2024,EPC2101,EPC2104,EPC8009,EPC2001C,EPC2103,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9013,EPC2023,EPC2100,EPC2022,EPC8004,EPC2036,EPC2010C,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9105,EPC2030,EPC9106,EPC9107,EPC2032,EPC2031,EPC9101,EPC2034,EPC2111,EPC2033,EPC2110,EPC8010,EPC2047,EPC2046,EPC9515,EPC2015C,EPC9115,EPC2007C,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9111,EPC9112,EPC2045
Enhancement Mode GaN FETs and ICs Visual Characterization Guide
型号- EPC2212,EPC1001,EPC2214,EPC2034C,EPC2016C,EPC2019,EPC2030,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC2031,EPC2111,EPC2034,EPC2033,EPC8010,EPCXXXX,EPC2102,EPC2024,EPC2101,EPC8009,EPC2104,EPC2202,EPC2001C,EPC2103,EPC2029,EPC2105,EPC2015C,EPC2206,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2100,EPC8004,EPC2022
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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