【产品】通用MOSFET R6547KNZ4,符合RoHS标准,导通电阻最大仅80mΩ,快速开关速度
R6547KNZ4是ROHM新推出的通用MOSFET,符合RoHS标准,采用无铅电镀,对生态环境和人类健康友好。产品具有低导通电阻,快速开关速度,易于并联使用的特点,在开关应用中有着广泛的应用。
图1 R6547KNZ4的产品图
R6547KNZ4采用TO-247封装,封装尺寸极小,大大减小了其对pcb板的占用。
图1 TO-247封装的尺寸图(单位:mm)
电气特性方面,R6547KNZ4的漏源电压为650V,连续漏极电流达±47A,满足各种开关应用对电流的要求,也降低了电流击穿MOSFET的风险;静态情况下的栅源电压为±20V,交流(频率大于1Hz)时为±30V,可有效的保护栅极不受损坏;单脉冲雪崩电流高达9.3A,单脉冲雪崩能量达1222mJ,可有效防止场效应管被破坏;功耗为480W;结温为150℃,工作结温和存储温度范围为-55~150℃,符合工业级温度要求。
25℃下,产品的饱和漏极电流最大仅100μA,MOSFET关断时损耗低,温升效应小;导通电阻的典型值为0.070Ω,最大值为0.080Ω,导通损耗低;导通延迟时间的典型值为50ns,产品响应速度快;反向恢复时间的典型值为690ns,较低的该值表明系统损耗较低,温升较低。
R6547KNZ4通用MOSFET的特点:
低导通电阻
快速开关速度
易于并联使用
RoHS标准
无铅电镀
R6547KNZ4通用MOSFET的应用:
开关应用
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对照表 - ROHM
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型号- LPW5220SPF,LPW5220□□□,LPW5220
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
测试等级:空气放电30KV±5%;接触放电30KV±5%,适用标准:GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951;给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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