【产品】60V/115mA N沟道功率MOSFET 2N7002，最大漏源导通电阻7.5Ω
深圳市萨科微半导体有限公司推出一款采用SOT-23封装的N沟道功率MOSFET 2N7002，在TA=25℃的条件下，其漏源电压最大值为60V，连续漏极电流为115mA，最大漏源导通电阻为7.5Ω（ID=50mA,VGS=5V或者ID=500mA,VGS=10V），可用于电池保护、负载开关和电源管理。
产品外观和示意图
特点：
VDS=60V，ID=115mA
RDS(ON) < 7.5Ω（VGS=5V）
高功率和电流处理能力
无铅产品
表面贴装封装
应用：
电池保护
负载开关
电源管理
最大额定值参数：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
热特性：
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